[发明专利]半导体测试结构及缺陷检测方法有效
| 申请号： | 202110594601.X | 申请日： | 2021-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113345865B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 翁文毅;李光中 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/66;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体测试结构及缺陷检测方法，将至少一条字线悬空，剩余的所述字线接地，利用电子束缺陷检测设备检测半导体测试结构即可以判断节点接触结构是否具有电性缺陷并定位电性缺陷的位置，且还可以判定发生的电性缺陷的类型，不需要借助其他的缺陷分析手段；并且，所述半导体测试结构可与正常的器件同步制备而成，因此无需特意设计掩模板等结构，也无需改变正常的器件的制备流程；进一步地，缺陷检测方法可以在形成节点接触结构之后立即进行缺陷检测，在线上作实时的缺陷分析，使得缺陷检测具有实时性，可防止大批量不良品的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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