[发明专利]半导体测试结构及缺陷检测方法

说明书

本发明提供了一种半导体测试结构及缺陷检测方法，将至少一条字线悬空，剩余的所述字线接地，利用电子束缺陷检测设备检测半导体测试结构即可以判断节点接触结构是否具有电性缺陷并定位电性缺陷的位置，且还可以判定发生的电性缺陷的类型，不需要借助其他的缺陷分析手段；并且，所述半导体测试结构可与正常的器件同步制备而成，因此无需特意设计掩模板等结构，也无需改变正常的器件的制备流程；进一步地，缺陷检测方法可以在形成节点接触结构之后立即进行缺陷检测，在线上作实时的缺陷分析，使得缺陷检测具有实时性，可防止大批量不良品的产生。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体测试结构及缺陷检测方法。

背景技术

电子束缺陷检测设备(Electron-Beam Inspection，EBI设备)利用电子束检测技术对硅片表面进行高分辨率成像，通过智能算法检测出硅片上的电性和物理缺陷，是芯片制造过程中良率提升的关键设备，目前已经被越来越多地应用于先进的IC芯片制造中。EBI设备的检测分辨率高到足以检测微小的物理缺陷，而光学缺陷成像系统无法胜任，因此可以进行电性缺陷(Electrical defects)检测(如开路缺陷、短路缺陷或漏电缺陷等)或形状缺陷(Physical defects)检测。

EBI设备在进行电性缺陷检测时，可以通过检测由于电荷引起的灰度变化而导致的电压对比度变化，并以暗场(dark field)和明场(bright field)的方式体现在输出的电压对比度图像中。

对于动态随机存取存储器(DRAM)来说，随着器件尺寸的微缩，存储节点接触结构的电性缺陷的检测变得越来越困难。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体测试结构及缺陷检测方法，用于检测动态随机存取存储器的存储节点接触结构的电性缺陷。

为了达到上述目的，本发明提供了一种半导体测试结构，包括：

衬底，所述衬底内具有多个阵列分布的有源区；

多条沿第一方向排布的字线，所述字线位于所述衬底内，沿第二方向延伸并穿过对应的有源区，至少一条所述字线悬空，剩余的所述字线接地；

多条沿所述第二方向排布的位线，所述位线的至少部分位于所述衬底上，沿第一方向延伸以与所述字线相交，相交的所述字线和位线界定出多个节点接触窗；以及，

多个节点接触结构，填充在所述节点接触窗中并和对应的所述有源区电性连接。

可选的，悬空的所述字线沿所述第一方向规则排布。

可选的，相邻的两个悬空的字线之间相隔至少一个接地的字线。

可选的，相邻的至少两个字线悬空并构成第一组字线，相邻的至少两个字线接地并构成第二组字线，所述第一组字线与所述第二组字线沿所述第一方向间隔排布。

可选的，接地的所述字线的一端连接有金属层并通过对应的所述金属层接地。

可选的，所述金属层分布在所述衬底的两侧，所述衬底每一侧上的所述金属层沿所述第一方向规则排布，且所述衬底的两侧上的所述金属层错位排布。

可选的，所有的所述字线均悬空。

可选的，所述节点接触结构呈行列分布，或者，所述节点接触结构呈蜂巢状分布。

本发明还提供了一种缺陷检测方法，包括：

提供所述半导体测试结构；

利用电子束缺陷检测设备检测所述半导体测试结构，以判断所述半导体测试结构的节点接触结构是否具有电性缺陷。