[发明专利]半导体测试结构及缺陷检测方法

权利要求书

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内具有多个阵列分布的有源区；

多条沿第一方向排布的字线，所述字线位于所述衬底内，沿第二方向延伸并穿过对应的有源区，至少一条所述字线悬空，剩余的所述字线接地；

多条沿所述第二方向排布的位线，所述位线的至少部分位于所述衬底上，沿第一方向延伸以与所述字线相交，相交的所述字线和位线界定出多个节点接触窗；以及，

多个节点接触结构，填充在所述节点接触窗中；

所述位线与其横跨的所述有源区的第一源/漏区电性连接，所述有源区的两端的第二源/漏区与对应的两个所述节点接触结构分别电性连接。

2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，悬空的所述字线沿所述第一方向规则排布。

3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，相邻的两个悬空的字线之间相隔至少一个接地的字线。

4.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，相邻的至少两个字线悬空并构成第一组字线，相邻的至少两个字线接地并构成第二组字线，所述第一组字线与所述第二组字线沿所述第一方向间隔排布。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体测试结构，其特征在于，接地的所述字线的一端连接有金属层并通过对应的所述金属层接地。

6.如权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述金属层分布在所述衬底的两侧，所述衬底每一侧上的所述金属层沿所述第一方向规则排布，且所述衬底的两侧上的所述金属层错位排布。

7.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所有的所述字线均悬空。

8.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述节点接触结构呈行列分布，或者，所述节点接触结构呈蜂巢状分布。

9.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1～8中任一项所述的半导体测试结构；

利用电子束缺陷检测设备检测所述半导体测试结构，以判断所述半导体测试结构的节点接触结构是否具有电性缺陷。

10.如权利要求9所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述电子束缺陷检测设备检测所述半导体测试结构后得到电压对比度图像，将所述电压对比度图像与一预设标准图像进行比对，以判断所述节点接触结构是否具有电性缺陷、定位所述电性缺陷的位置以及判断所述电性缺陷的类别。

11.如权利要求10所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述节点接触结构的电性缺陷的类别包括开路缺陷及短路缺陷。

12.如权利要求10或11所述的缺陷检测方法，其特征在于，通过比对所述电压对比度图像与所述预设标准图像中的明场/暗场的分布判断所述节点接触结构是否具有电性缺陷、定位所述电性缺陷的位置以及判断所述电性缺陷的类别。

13.如权利要求12所述的缺陷检测方法，其特征在于，当所述电压对比度图像与所述预设标准图像中的明场/暗场的分布相同时，所述节点接触结构没有缺陷；当所述电压对比度图像与所述预设标准图像中的明场/暗场的分布不同时，所述电压对比度图像中与所述预设标准图像不同的明场/暗场对应的所述节点接触结构具有电性缺陷。