[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110569594.8 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115394719A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;柯星 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体的结构及其形成方法，方法包括：形成保形覆盖沟道叠层和基底的底部侧墙材料层，位于隔离槽的相对侧壁上的底部侧墙材料层相接触；去除位于基底顶部和沟道叠层顶部的侧墙材料层、以及隔离槽中部分厚度的侧墙材料层，在隔离槽的部分空间中形成底部介电墙，底部介电墙的顶面高于沟道叠层的顶面；在形成底部介电墙后，在隔离槽的剩余空间中形成覆盖底部介电墙顶部的顶部介电墙，顶部介电墙的顶部与沟道叠层的顶部相齐平，顶部介电墙和底部介电墙构成介电墙。所述介电墙降低后续形成在第一区域和第二区域的器件之间产生漏电的概率，有利于提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
