[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括分立的器件区和位于所述器件区之间的隔离区，所述器件区包括相间隔的第一区域和第二区域，所述基底包括衬底、以及分别凸立于所述第一区域和第二区域的衬底上的鳍部；

沟道结构层，悬置于所述器件区的鳍部顶部上，沿所述衬底表面法线方向上，所述沟道结构层包括一个或者多个间隔设置的沟道层；

隔离层，位于所述隔离区的所述衬底上，且露出所述沟道结构层的侧壁；

介电墙，位于所述第一区域和第二区域交界处的衬底上，并覆盖所述沟道结构层的侧壁，所述介电墙包括底部介电墙、以及位于所述底部介电墙顶部的顶部介电墙；

栅介质层，所述栅介质层覆盖所述沟道结构层的部分顶部、部分侧壁和部分底部；

栅电极层，位于所述基底上且横跨所述沟道结构层和介电墙，所述栅电极层环绕覆盖所述栅介质层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述底部介电墙的顶部高于所述沟道结构层的顶部。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述底部介电墙的顶部至所述沟道结构层的顶部的距离为5纳米至20纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述顶部介电墙的材料与所述隔离层的材料相同。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域和第二区域交界处的衬底顶部低于所述隔离区的衬底顶部。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域和第二区域交界处的衬底顶部至所述隔离区的衬底顶部的距离为50埃米至300埃米。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述顶部介电墙的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的一种或多种。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述底部介电墙的材料包括氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮氧化硅、碳氮化硅和碳氮硼化硅中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述沟道层的材料包括硅、锗化硅、锗和Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的一种或多种。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的材料包括HfO₂、ZrO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、SiO₂和La₂O₃中的一种或多种；

所述栅电极层的材料包括TiN、TaN、Ta、Ti、TiAl、W、AL、TiSiN和TiAlC中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区的第一区域用于形成第一型晶体管，所述器件区的第二区域用于形成第二型晶体管，所述第一型晶体管和第二型晶体管的沟道导电类型不同。