[发明专利]一种测试结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110569593.3 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115394669A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵丹洋;吴轶超;张超;施维 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试结构及其形成方法，测试结构包括：多根金属线，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，金属线沿第一方向包括测试区、位于测试区一侧的第一引线区、以及位于测试区另一侧的第二引线区，金属线沿第二方向包括交替间隔排布的第一金属线和第二金属线；隔断层，贯穿第二引线区和测试区的交界处的第一金属线、以及第一引线区和测试区的交界处的第二金属线，隔断层用于在第一方向上分割第一金属线和第二金属线；第一通孔互连结构，位于第一引线区中且位于第一金属线顶部，用于为第一金属线的测试信号加载端；第二通孔互连结构，位于第二引线区中且位于第二金属线顶部，用于作为第二金属线的测试信号加载端。本发明提高了测试结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
