[发明专利]一种测试结构及其形成方法

说明书

一种测试结构及其形成方法，测试结构包括：多根金属线，沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，金属线沿第一方向包括测试区、位于测试区一侧的第一引线区、以及位于测试区另一侧的第二引线区，金属线沿第二方向包括交替间隔排布的第一金属线和第二金属线；隔断层，贯穿第二引线区和测试区的交界处的第一金属线、以及第一引线区和测试区的交界处的第二金属线，隔断层用于在第一方向上分割第一金属线和第二金属线；第一通孔互连结构，位于第一引线区中且位于第一金属线顶部，用于为第一金属线的测试信号加载端；第二通孔互连结构，位于第二引线区中且位于第二金属线顶部，用于作为第二金属线的测试信号加载端。本发明提高了测试结果的准确性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测试结构及其形成方法。

背景技术

在半导体器件制作过程中，常常需要对器件的可靠性进行测试。特别是随着半导体工艺技术的发展，半导体器件越来越集成化，半导体器件的尺寸正在逐渐成比例缩小，其关键尺寸(CD，Critical Dimension)也变得越来越小，对于CD越来越小的半导体器件，在BEOL(Back End of Line，后段工艺)中的介质层(Inter Layer Dielectric，ILD)也会越来越薄，对BEOL制造的电路结构的性能进行测试也变得至关重要。

本领域中通常采用时间相关介质击穿(Time Dependent Dielectric Breakdown，简称TDDB)测试来进行可靠性测试。它可以用来预测半导体器件的使用寿命。通常，在金属线上加恒定的电压，使器件处于积累状态，这就是一般所说的TDDB。经过一段时间后，介质材料就会被击穿，在金属线上施加恒定电压开始到介质材料被击穿结束的这段期间所经历的时间就是在该条件下的介质材料寿命。

发明内容

本发明实施解决的问题是提供了一种测试结构及其形成方法，提高了测试结果的准确性。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种测试结构，包括：多根金属线，所述金属线沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第二方向和第一方向垂直，所述金属线沿所述第一方向包括测试区、位于所述测试区一侧的第一引线区、以及位于所述测试区另一侧的第二引线区，所述第一引线区和第二引线区均用于加载测试信号，所述金属线沿所述第二方向包括交替间隔排布的第一金属线和第二金属线；隔断层，贯穿所述第二引线区和测试区的交界处的第一金属线、以及所述第一引线区和测试区的交界处的第二金属线，所述隔断层用于在所述第一方向上分割所述第一金属线和第二金属线；第一通孔互连结构，位于所述第一引线区中且位于所述第一金属线顶部，所述第一通孔互连结构用于作为所述第一金属线的测试信号加载端；第二通孔互连结构，位于所述第二引线区中且位于所述第二金属线顶部，所述第二通孔互连结构用于作为所述第二金属线的测试信号加载端。