[发明专利]一种测试结构及其形成方法

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，包括：

多根金属线，所述金属线沿第一方向延伸且沿第二方向平行排列，所述第二方向和第一方向垂直，所述金属线沿所述第一方向包括测试区、位于所述测试区一侧的第一引线区、以及位于所述测试区另一侧的第二引线区，所述第一引线区和第二引线区均用于加载测试信号，所述金属线沿所述第二方向包括交替间隔排布的第一金属线和第二金属线；

隔断层，贯穿所述第二引线区和测试区的交界处的第一金属线、以及所述第一引线区和测试区的交界处的第二金属线，位于所述第二引线区和测试区的交界处的隔断层用于在所述第一方向上分割所述第一金属线，位于所述第一引线区和测试区的交界处的隔断层用于在所述第一方向上分割所述第二金属线；

第一通孔互连结构，位于所述第一引线区中且位于所述第一金属线顶部，所述第一通孔互连结构用于作为所述第一金属线的测试信号加载端；

第二通孔互连结构，位于所述第二引线区中且位于所述第二金属线顶部，所述第二通孔互连结构用于作为所述第二金属线的测试信号加载端。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括介电层；

所述金属线位于所述介电层中，且沿所述第二方向，相邻所述第一金属线和第二金属线之间通过所述介电层相间隔。

3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述隔断层与所述介电层为一体结构。

4.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，位于所述第一金属线中的所述隔断层还沿所述第二方向向两侧延伸至所述第二金属线的侧壁；

位于所述第二金属线中的所述隔断层还沿所述第二方向向两侧延伸至所述第一金属线的侧壁。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，在每根所述第一金属线顶部，在所述第一引线区或第二引线区中，所述第一通孔互连结构的个数为2个至5个；

在每根所述第二金属线顶部，在所述第一引线区或第二引线区中，所述第二通孔互连结构的个数为2个至5个。

6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一通孔互连结构的宽度尺寸大于所述第一金属线的宽度尺寸；

沿所述第二方向，所述第二通孔互连结构的宽度尺寸大于所述第二金属线的宽度尺寸。

7.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，沿所述第一方向，所述隔断层的线宽尺寸为20nm至35nm。

8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，相邻所述第一金属线和第二金属线之间的间隔相等。

9.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述隔断层的材料包括SiOC、SiOCH、SiC、SiCN、SiO₂、SiN和SiON中的一种或多种。

10.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述介电层的材料包括SiOC、SiOCH、SiC、SiCN、SiO₂、SiN和SiON中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一金属线的材料包括铜、铝和铜合金中的一种或多种，所述第二金属线的材料包括铜、铝和铜合金中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括TDDB测试结构或VBD测试结构。