[发明专利]光刻系统和方法在审
| 申请号： | 202110560714.8 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113791520A | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 李泳福;郑文豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B5/08 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及光刻系统和方法。一种光刻曝光系统包括：光源；衬底台；以及掩模台，沿着从光源到衬底台的光路，在光源和衬底台之间。该光刻曝光系统还包括沿着光路的反射器。该反射器包括：第一层，具有第一材料和第一厚度；第二层具有第一材料和不同于第一厚度的第二厚度；以及第三层，位于第一层和第二层之间，并具有不同于第一材料的第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
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