[发明专利]光刻系统和方法在审
申请号: | 202110560714.8 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113791520A | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 李泳福;郑文豪 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B5/08 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 陈蒙 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 系统 方法 | ||
1.一种光刻曝光系统,包括:
光源;
衬底台;
掩模台,沿着从所述光源到所述衬底台的光路在所述光源和所述衬底台之间;以及
反射器,沿着所述光路,所述反射器包括:
第一层,具有第一材料和第一厚度;
第二层,具有所述第一材料和不同于所述第一厚度的第二厚度;以及
第三层,位于所述第一层和所述第二层之间,并具有不同于所述第一材料的第二材料。
2.根据权利要求1所述的光刻曝光系统,其中,所述反射器还包括:
第四层,具有不同于所述第一材料和所述第二材料的第三材料。
3.根据权利要求2所述的光刻曝光系统,其中,所述反射器还包括:
第五层,具有不同于所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料的第四材料。
4.根据权利要求3所述的光刻曝光系统,其中,所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料和所述第四材料各自是消光系数小于0.02的不同材料。
5.根据权利要求3所述的光刻曝光系统,其中,所述第一材料、所述第二材料、所述第三材料和所述第四材料各自是硅、钼、锶、铍或钌中的不同的一者。
6.根据权利要求2所述的光刻曝光系统,其中:
所述反射器还包括具有所述第一材料的第六层;并且
所述第四层位于所述第二层和所述第六层之间。
7.根据权利要求1所述的光刻曝光系统,还包括:
照明器,包括至少两个第一反射器,并且沿着所述光路位于所述光源和所述掩模台之间;以及
投影光学盒,包括至少两个第二反射器,并且沿着所述光路位于所述掩模台和所述衬底台之间;
其中,所述反射器是所述至少两个第一反射器中的一者或所述至少两个第二反射器中的一者;
其中,所述光源是极紫外EUV光源。
8.一种光刻曝光系统,包括:
在光源和衬底台之间的光路;
第一反射器,沿着所述光路具有第一入射角,所述第一反射器包括:
至少三个第一材料层,具有第一数量种层材料、第二数量个层厚度以及第一顺序的所述第一材料层;以及
第二反射器,沿着所述光路具有第二入射角,所述第二入射角与所述第一入射角不同,所述第二反射器包括:
至少三个第二材料层,具有第三数量种层材料、第四数量个层厚度以及第二顺序的所述第二材料层,并且至少满足以下条件之一:
所述第三数量与所述第一数量不同;
所述第四数量与所述第二数量不同;或者
所述第二顺序与所述第一顺序不同。
9.根据权利要求8所述的光刻曝光系统,其中,第一数量至少为四个,并且第三数量小于四个。
10.一种制造反射镜结构的方法,包括:
通过执行反向设计算法来形成多个中间反射多层结构配置;以及
基于选自所述多个中间反射多层结构配置的反射多层结构配置,通过以下方式来形成反射多层:
形成具有第一材料和第一厚度的第一材料层;
在所述第一材料层上形成第二材料层,所述第二材料层具有分别不同于所述第一材料和所述第一厚度的第二材料和第二厚度;以及
在所述第二材料层上形成第三材料层,所述第三材料层具有所述第一材料和不同于所述第一厚度的第三厚度。
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