[发明专利]光刻系统和方法

说明书

本公开涉及光刻系统和方法。一种光刻曝光系统包括：光源；衬底台；以及掩模台，沿着从光源到衬底台的光路，在光源和衬底台之间。该光刻曝光系统还包括沿着光路的反射器。该反射器包括：第一层，具有第一材料和第一厚度；第二层具有第一材料和不同于第一厚度的第二厚度；以及第三层，位于第一层和第二层之间，并具有不同于第一材料的第二材料。

技术领域

本公开一般地涉及光刻系统和方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)行业经历了指数增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在IC演变过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增大，同时几何尺寸(例如，使用制造工艺能够产生的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了加工和制造IC的复杂度。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供了一种光刻曝光系统，包括：光源；衬底台；掩模台，沿着从所述光源到所述衬底台的光路在所述光源和所述衬底台之间；以及反射器，沿着所述光路，所述反射器包括：第一层，具有第一材料和第一厚度；第二层，具有所述第一材料和不同于所述第一厚度的第二厚度；以及第三层，位于所述第一层和所述第二层之间，并具有不同于所述第一材料的第二材料。

根据本公开的另一实施例，提供了一种光刻曝光系统，包括：在光源和衬底台之间的光路；第一反射器，沿着所述光路具有第一入射角，所述第一反射器包括：至少三个第一材料层，具有第一数量种层材料、第二数量个层厚度以及第一顺序的所述第一材料层；以及第二反射器，沿着所述光路具有第二入射角，所述第二入射角与所述第一入射角不同，所述第二反射器包括：至少三个第二材料层，具有第三数量种层材料、第四数量个层厚度以及第二顺序的所述第二材料层，并且至少满足以下条件之一：所述第三数量与所述第一数量不同；所述第四数量与所述第二数量不同；或者所述第二顺序与所述第一顺序不同。

根据本公开的又一实施例，提供了一种制造反射镜结构的方法，包括：通过执行反向设计算法来形成多个中间反射多层结构配置；以及基于选自所述多个中间反射多层结构配置的反射多层结构配置，通过以下方式来形成反射多层：形成具有第一材料和第一厚度的第一材料层；在所述第一材料层上形成第二材料层，所述第二材料层具有分别不同于所述第一材料和所述第一厚度的第二材料和第二厚度；以及在所述第二材料层上形成第三材料层，所述第三材料层具有所述第一材料和不同于所述第一厚度的第三厚度。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各方面。值得注意的是，根据行业的标准实践，各种特征没有按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可能被任意地增大或缩小了。

图1A-图1E是根据本公开的实施例的光刻扫描仪的部分的视图。

图2A至图3D是根据本公开的各个方面的光刻扫描仪的反射镜结构的各个实施例的视图。

图4-图6B是示出根据本公开的各个方面的制造反射镜结构的方法的视图。

图7是示出根据本公开的各个方面的制造半导体器件的方法的视图。

图8-图9是示出根据本公开的各个方面的通过机器学习过程来制造反射镜结构的方法的视图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同的实施例或示例，以用于实现所提供的主题的不同特征。下文描述了组件和布置的特定示例以简化本公开。当然，这些只是示例，并不旨在进行限制。例如，在下面的描述中在第二特征之上或上形成第一特征可以包括其中第一特征和第二特征以直接接触方式形成的实施例，并且还可以包括其中可以在第一特征和第二特征之间形成附加特征，使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个示例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清楚的目的，并且本身并不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。