[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 202110553318.2 | 申请日： | 2021-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN113299738B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 童宇诚;张钦福 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其形成方法，半导体装置包括衬底、有源结构，以及浅沟渠隔离。有源结构设置于所述衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，第一有源片段以及第二有源片段相互平行、相互分隔地朝着第一方向延伸，第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧，其中，第一有源片段在第一方向上具有相同的第一长度，第二有源片段在第一方向上具有第二长度，第二长度大于第一长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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