[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

衬底；

有源结构，设置于所述衬底内，所述有源结构包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，所述第一有源片段以及所述第二有源片段相互平行、相互分隔地朝着第一方向延伸，所述第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧，其中，所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度大于所述第一长度；以及

浅沟渠隔离，设置于所述衬底内，以环绕所述有源结构；

所述有源结构还包括多个第三有源片段，所述第三有源片段在所述第二有源片段以及所述第一有源片段之间，其中所述第三有源片段在所述第一方向上具有第四长度，所述第四长度小于所述第一长度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，两相邻的所述第二有源片段在所述第一方向上具有不相同的所述第二长度以及第三长度，所述第三长度亦大于所述第一长度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，相邻的所述第二有源片段相互分隔设置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，两相邻的所述第二有源片段彼此相连。

5.根据权利要求1项所述的半导体装置，其特征在于，所述有源结构还包括外围有源区，围绕着所述第一有源片段以及所述第二有源片段设置，所述第二有源片段直接接触所述外围有源区。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述外围有源区包括延伸于第二方向上的至少一第一侧边，以及延伸于第三方向上的至少一第二侧边，其中，所述第二方向以及所述第三方向不垂直于所述第一方向，所述第二方向垂直于所述第三方向。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二有源片段直接接触所述外围有源区的所述至少一第一侧边、所述至少一第二侧边、或至少一第一侧边以及所述至少一第二侧边。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

多个第三有源片段，相互平行、相互分隔地朝着所述第一方向延伸，且所述第三有源片段与外围有源区完全隔离。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，相邻的所述第三有源片段以及所述第二有源片段具有相互切齐的端面。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述浅沟渠隔离包括：

多个第一隔离部分，设置于两相邻的所述第一有源片段之间；多个第二隔离部分，设置于两相邻的所述第二有源片段之间，所述第二隔离部分于所述第二方向上具有第一宽度，所述第一隔离部分于所述第二方向上具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

11.一种半导体装置的形成方法，其特征在于包括：

提供一衬底；

于所述衬底内形成有源结构，所述有源结构包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，所述第一有源片段以及所述第二有源片段相互平行、相互分隔地朝着第一方向延伸，所述第二有源片段在所有的所述第一有源片段外侧，其中，各所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的一第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度大于所述第一长度；以及

于所述衬底内形成浅沟渠隔离，环绕所述有源结构；

所述有源结构还包括：多个第三有源片段，所述第三有源片段在所述第二有源片段以及所述第一有源片段之间；所述第三有源片段在所述第一方向上具有第四长度，所述第四长度小于所述第一长度。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，两相邻的所述第二有源片段在所述第一方向上具有不相同的所述第二长度以及第三长度，所述第三长度亦大于所述第一长度。