[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

本发明公开了半导体装置及其形成方法，半导体装置包括衬底、有源结构，以及浅沟渠隔离。有源结构设置于所述衬底内，并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，第一有源片段以及第二有源片段相互平行、相互分隔地朝着第一方向延伸，第二有源片段设置在所有的所述第一有源片段外侧，其中，第一有源片段在第一方向上具有相同的第一长度，第二有源片段在第一方向上具有第二长度，第二长度大于第一长度。

技术领域

本申请涉及一种半导体装置及其形成方法，尤其是涉及一种包括有源结构以及浅沟渠隔离的半导体装置及其形成方法。

背景技术

随着半导体装置微小化以及集成电路的复杂化，组件的尺寸不断地减小，结构亦不断地变化，因此，维持小尺寸半导体组件的效能为目前业界的主要目标。在半导体制作工艺中，多半是在衬底上定义出多个有源区域作为基础，再于所述有源区域上形成所需组件。一般来说，有源区域为利用光刻及蚀刻等制作工艺在衬底上所形成多个图案，但在尺寸微缩的要求下，有源区域的宽度逐渐缩减，而各个有源区域之间的间距也渐缩小，使得其制作工艺也面临许多限制与挑战，以至于无法满足产品需求。

发明内容

本申请之一目的在于提供一种半导体装置，其有源结构具有长度不一的多个有源片段，其中，长度相对较长的有源片段系围绕着长度相对较短的有源片段设置，并直接连接外围有源区。藉此，可改善所述半导体装置周围的应力，避免所述半导体结构的倒塌或毁损，使得所述半导体装置可达到较为优化的元件效能。

为达上述目的，本申请之一实施例提供一种半导体装置，包括衬底、有源结构、以及浅沟槽隔离。所述有源结构设置于所述衬底内并包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，所述第一有源片段以及所述第二有源片段相互平行、相互分隔地朝着第一方向延伸，所述第二有源片段围绕所述第一有源片段设置。其中，所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度大于所述第一长度。所述浅沟渠隔离则环绕所述有源结构。

为达上述目的，本申请之一实施例提供一种半导体装置的形成方法，包括以下步骤。首先，提供一衬底，并于所述衬底内形成有源结构。所述有源结构包括多个第一有源片段以及多个第二有源片段，并且所述第一有源片段以及所述第二有源片段相互平行、相互分隔地朝着第一方向延伸。所述第二有源片段围绕所述第一有源片段设置，其中，各所述第一有源片段在所述第一方向上具有相同的一第一长度，所述第二有源片段在所述第一方向上具有第二长度，所述第二长度大于所述第一长度。然后，于所述衬底内形成浅沟渠隔离，环绕所述有源结构。

附图说明

图1至图2为本申请第一优选实施例中半导体装置的示意图；其中

图1为本申请的半导体装置之有源结构的俯视示意图；以及

图2为图1沿切线A-A’的剖面示意图。

图3至图5为本申请优选实施例中半导体装置的形成方法的示意图；其中

图3为一半导体结构形成浅沟渠以及有源区单元后的俯视示意图；

图4为图3沿切线A-A’的剖面示意图；以及

图5为一半导体结构形成第一开口以及第二开口后的俯视示意图。

图6为本申请第二优选实施例中半导体装置的示意图。

图7为本申请第三优选实施例中半导体装置的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、300、500 半导体装置

110 衬底

120 浅沟渠隔离