[发明专利]一种CMOS图像传感器封装结构在审
申请号: | 202110542491.2 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113161380A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 张宏鑫;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 卫芯科技(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 318000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种CMOS图像传感器封装结构,包括基板,所述基板的上表面固定连接有第一基坝,所述第一基坝的上表面且位于第一基坝的内侧的固定连接有芯片,所述芯片的左表面固定连接有金线,所述第一基坝的上表面固定连接有第二基坝,所述第二基坝的右表面固定连接有固定线,所述固定线远离第二基坝的一端固定连接有粘附头,所述第二基坝的上表面设置有圆孔。本发明,通过设计固定线、粘附头,实现对金线进行固定,达到避免其晃动的目的,通过设计第三坝体,实现对光学玻璃的固定方式进行改变,达到增加其固定的牢固性的目的,通过设计柱塞圆孔,实现固定光学玻璃避免胶水对其影响,导致拆卸时不会破碎。 | ||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 封装 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卫芯科技(浙江)有限公司,未经卫芯科技(浙江)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110542491.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种阵列图像扫描识别装置
- 下一篇:一种阻水透气部件及自动排气装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的