[发明专利]一种CMOS图像传感器封装结构在审
申请号: | 202110542491.2 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113161380A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 张宏鑫;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 卫芯科技(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 318000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 封装 结构 | ||
1.一种CMOS图像传感器封装结构,包括基板(1),其特征在于:所述基板(1)的上表面固定连接有第一基坝(10),所述第一基坝(10)的上表面且位于第一基坝(10)的内侧的固定连接有芯片(6),所述芯片(6)的左表面固定连接有金线(11),所述第一基坝(10)的上表面固定连接有第二基坝(3);
所述第二基坝(3)的右表面固定连接有固定线(4),所述固定线(4)远离第二基坝(3)的一端固定连接有粘附头(12),所述第二基坝(3)的上表面设置有圆孔(9),所述圆孔(9)的内部固定连接有柱塞(8),所述柱塞(8)的上表面固定连接有第三基坝(7),所述第三基坝(7)为L形,所述第三基坝(7)的下表面固定连接有光学玻璃(5)。
2.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器封装结构,其特征在于:所述基板(1)的前表面设置有导通孔(2),所述导通孔(2)的数量为多个且沿基板(1)的四周分布。
3.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器封装结构,其特征在于:所述芯片(6)的上表面固定连接有感光模块,所述芯片(6)的上表面且位于感光模块的前侧设置有逻辑电路(13)。
4.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器封装结构,其特征在于:所述金线(11)远离芯片(6)的一端固定连接有金属片,所述金属片与导通孔(2)的内表面固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器封装结构,其特征在于:所述粘附头(12)与金线(11)固定连接,所述金线(11)的数量有多个。
6.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器封装结构,其特征在于:所述第二基坝(3)与第三基坝(7)接触。
7.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器封装结构,其特征在于:所述光学玻璃(5)的下表面与第二基坝(3)接触。
8.根据权利要求1所述的一种CMOS图像传感器封装结构,其特征在于:所述第一基坝(10)、第二基坝(3)与第三基坝(7)的宽度依次减小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的