[发明专利]一种CMOS图像传感器封装结构在审
申请号: | 202110542491.2 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113161380A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 张宏鑫;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 卫芯科技(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 318000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cmos 图像传感器 封装 结构 | ||
本发明公开了一种CMOS图像传感器封装结构,包括基板,所述基板的上表面固定连接有第一基坝,所述第一基坝的上表面且位于第一基坝的内侧的固定连接有芯片,所述芯片的左表面固定连接有金线,所述第一基坝的上表面固定连接有第二基坝,所述第二基坝的右表面固定连接有固定线,所述固定线远离第二基坝的一端固定连接有粘附头,所述第二基坝的上表面设置有圆孔。本发明,通过设计固定线、粘附头,实现对金线进行固定,达到避免其晃动的目的,通过设计第三坝体,实现对光学玻璃的固定方式进行改变,达到增加其固定的牢固性的目的,通过设计柱塞圆孔,实现固定光学玻璃避免胶水对其影响,导致拆卸时不会破碎。
技术领域
本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种CMOS图像传感器封装结构。
背景技术
CMOS,互补金属氧化物半导体。CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器。CMOS图像传感器通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成,这几部分通常都被集成在同一块硅片上。其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分,CMOS图像传感器产品的晶圆级封装,键合的玻璃采用的是普通白光玻璃。
如专利号为CN201820527180.2中介绍的一种CMOS图像传感器封装结构,虽然解决了炫光的问题,但是依然存在下列缺陷:
1、该CMOS图像传感器封装结构会导致金线没有被中间部分没有被固定,导致其受到振动影响;
2、目前CMOS图像传感器封装结构光学玻璃的安装使用胶水粘结,长时间处于恶劣环境中,会导致其脱落。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种CMOS图像传感器封装结构。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:一种CMOS图像传感器封装结构,包括基板,所述基板的上表面固定连接有第一基坝,所述第一基坝的上表面且位于第一基坝的内侧的固定连接有芯片,所述芯片的左表面固定连接有金线,所述第一基坝的上表面固定连接有第二基坝;
所述第二基坝的右表面固定连接有固定线,所述固定线远离第二基坝的一端固定连接有粘附头,所述第二基坝的上表面设置有圆孔,所述圆孔的内部固定连接有柱塞,所述柱塞的上表面固定连接有第三基坝,所述第三基坝为L形,所述第三基坝的下表面固定连接有光学玻璃。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述基板的前表面设置有导通孔,所述导通孔的数量为多个且沿基板的四周分布。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述芯片的上表面固定连接有感光模块,所述芯片的上表面且位于感光模块的前侧设置有逻辑电路。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述金线远离芯片的一端固定连接有金属片,所述金属片与导通孔的内表面固定连接。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述粘附头与金线固定连接,所述金线的数量有多个。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述第二基坝与第三基坝接触。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述光学玻璃的下表面与第二基坝接触。
作为上述技术方案的进一步描述:
所述第一基坝、第二基坝与第三基坝的宽度依次减小。
本发明具有如下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的