[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110537232.0 | 申请日： | 2021-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN113327854A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 姜春亮;赵浩宇;李伟聪;林泳浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件的制备方法，该方法通过在第一导电类型的半导体衬底上形成的第一导电类型漂移区刻蚀出多个阵列排布的沟槽，并在多个沟槽中的部分沟槽上进一步刻蚀出阵列排布的连接孔，形成的设有连接孔的沟槽能够大幅减少沟槽与沟槽之间的距离，使得芯片单位面积内的元胞数量大幅增加，从而增加电流通路，进而提高芯片单元面积通流能力；通流能力的增强可大幅度提高芯片抗极限冲击能力；另外，设有连接孔的沟槽与顶电极通过连接孔连接，其在开启时会形成一种载流子沟道，沟槽之间为了维持电中性，在栅极沟槽感生出相对的另一种载流子，增加了沟道导通时电子浓度，从而降低沟道电阻，使半导体器件整体的导通电阻Rds(on)降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市威兆半导体有限公司，未经深圳市威兆半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110537232.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种对延迟焦化急冷油气脱除焦粉的方法与装置
- 下一篇：半导体发光装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
