[发明专利]一种MPCVD制备金刚石的方法在审
申请号: | 202110534190.5 | 申请日: | 2021-05-17 |
公开(公告)号: | CN113278946A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 谭钦;周霖;冯真 | 申请(专利权)人: | 四川瑞能晶石科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/02;C23C16/511;C23C16/56;C23C16/455;C01B32/26;C01B32/28 |
代理公司: | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人: | 李蕊 |
地址: | 611730 四川省成都市郫*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种MPCVD制备金刚石的方法,依次包括以下步骤:(1)将金刚石衬底清洗后放入MPCVD腔体,密封抽真空,通入反应气体至气压为4‑6Torr,开启微波源形成等离子体,增大反应气体流量和微波功率加热至刻蚀温度;(2)通入刻蚀气体刻蚀20‑60min,然后通入碳源气体,调节MPCVD腔体气压和微波功率至工艺温度,持续生长10‑30h,关闭碳源气体再刻蚀金刚石衬底;(3)重复步骤(1)‑(2)直至金刚石完成生长,关闭MPCVD,取出金刚石衬底,得金刚石。本发明能够获得品质较好的金刚石,有效解决了现有技术中金刚石衬底表面易形成大颗粒金刚石点、石墨、多晶等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 mpcvd 制备 金刚石 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川瑞能晶石科技有限公司,未经四川瑞能晶石科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110534190.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的