[发明专利]一种MPCVD制备金刚石的方法在审

专利信息
申请号: 202110534190.5 申请日: 2021-05-17
公开(公告)号: CN113278946A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 谭钦;周霖;冯真 申请(专利权)人: 四川瑞能晶石科技有限公司
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/02;C23C16/511;C23C16/56;C23C16/455;C01B32/26;C01B32/28
代理公司: 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 代理人: 李蕊
地址: 611730 四川省成都市郫*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种MPCVD制备金刚石的方法,依次包括以下步骤:(1)将金刚石衬底清洗后放入MPCVD腔体,密封抽真空,通入反应气体至气压为4‑6Torr,开启微波源形成等离子体,增大反应气体流量和微波功率加热至刻蚀温度;(2)通入刻蚀气体刻蚀20‑60min,然后通入碳源气体,调节MPCVD腔体气压和微波功率至工艺温度,持续生长10‑30h,关闭碳源气体再刻蚀金刚石衬底;(3)重复步骤(1)‑(2)直至金刚石完成生长,关闭MPCVD,取出金刚石衬底,得金刚石。本发明能够获得品质较好的金刚石,有效解决了现有技术中金刚石衬底表面易形成大颗粒金刚石点、石墨、多晶等问题。
搜索关键词: 一种 mpcvd 制备 金刚石 方法
【主权项】:
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