[发明专利]集成电路装置在审

专利信息
申请号: 202110534075.8 申请日: 2021-05-17
公开(公告)号: CN114078948A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 崔珉姬;赵槿汇;姜明吉;金锡勳;金洞院;朴判贵;申东石 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L27/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘林果;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括:鳍型有源区,在基底上沿着第一水平方向;器件隔离层,位于鳍型有源区的相对的侧壁上;栅极结构,沿着与第一水平方向交叉的第二水平方向,栅极结构位于鳍型有源区上并位于器件隔离层上;以及源极/漏极区,位于鳍型有源区上,源极/漏极区与栅极结构相邻并包括顺序地堆叠在鳍型有源区上的外阻挡层、内阻挡层和主体层,并且外阻挡层和主体层中的每个包括Si1‑xGex层,其中,x≠0,并且内阻挡层包括Si层。
搜索关键词: 集成电路 装置
【主权项】:
暂无信息
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