[发明专利]集成电路装置

权利要求书

1.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

鳍型有源区，在基底上沿着第一水平方向；

器件隔离层，位于鳍型有源区的相对的侧壁上；

栅极结构，沿着与第一水平方向交叉的第二水平方向，栅极结构位于鳍型有源区和器件隔离层上；以及

源极/漏极区，位于鳍型有源区上，源极/漏极区与栅极结构相邻并包括顺序地堆叠在鳍型有源区上的外阻挡层、内阻挡层和主体层，并且外阻挡层和主体层中的每个包括Si_1-xGe_x层，其中，x≠0，并且内阻挡层包括Si层。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，内阻挡层包括未掺杂的Si层。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，内阻挡层包括掺杂有p型掺杂剂的Si层，p型掺杂剂为硼或镓。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，内阻挡层通过外阻挡层而与鳍型有源区间隔开。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，栅极结构包括：

栅极线，在鳍型有源区上和器件隔离层上沿着第二水平方向；

栅极介电层，围绕栅极线；以及

外绝缘间隔件，通过栅极介电层而与栅极线间隔开，外绝缘间隔件覆盖位于器件隔离层上和鳍型有源区上的栅极线的侧壁，

其中，外阻挡层具有与栅极结构接触的第一接触表面，并且

其中，内阻挡层具有与栅极结构接触的第二接触表面，第二接触表面的面积比第一接触表面的面积大。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括纳米片堆叠件，纳米片堆叠件包括位于鳍型有源区的鳍顶部上的纳米片，纳米片与鳍顶部间隔开并具有距鳍顶部不同的竖直距离，

其中，源极/漏极区沿第一水平方向面对纳米片堆叠件，并且

其中，内阻挡层与纳米片堆叠件间隔开，且外阻挡层置于内阻挡层与纳米片堆叠件之间。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，所述集成电路装置还包括纳米片堆叠件，纳米片堆叠件包括位于鳍型有源区的鳍顶部上的纳米片，纳米片与鳍型有源区的鳍顶部间隔开并具有距鳍顶部不同的竖直距离，

其中，栅极结构包括主栅极部分和至少一个子栅极部分，主栅极部分在纳米片堆叠件上和器件隔离层上沿着第二水平方向，所述至少一个子栅极部分位于多个纳米片彼此之间，

其中，源极/漏极区沿第一水平方向面对纳米片堆叠件和所述至少一个子栅极部分，并且

其中，内阻挡层与纳米片堆叠件和所述至少一个子栅极部分间隔开，且外阻挡层置于内阻挡层与纳米片堆叠件和所述至少一个子栅极部分之间。

8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：

栅极结构包括主栅极部分和子栅极部分，主栅极部分在器件隔离层上沿着第二水平方向，子栅极部分位于鳍型有源区上并一体地连接到主栅极部分，并且

在外阻挡层和内阻挡层中的每个中，覆盖子栅极部分的部分在第一水平方向上的宽度比源极/漏极区在第一水平方向上的最大宽度的1/5小。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，源极/漏极区还包括覆盖层，覆盖层与内阻挡层间隔开且主体层置于覆盖层与内阻挡层之间，并且覆盖层包括未掺杂的Si层或掺杂有p型掺杂剂的Si层。

10.一种集成电路装置，所述集成电路装置包括：

鳍型有源区，在基底上沿着第一水平方向；

纳米片堆叠件，包括位于鳍型有源区的鳍顶部上的纳米片，纳米片与鳍型有源区的鳍顶部间隔开并具有距鳍顶部不同的竖直距离；以及

源极/漏极区，沿第一水平方向面对纳米片，源极/漏极区包括沿第一水平方向顺序地堆叠在纳米片堆叠件上的外阻挡层、内阻挡层和主体层，外阻挡层和主体层中的每个包括Si_1-xGe_x层，其中，x≠0，并且内阻挡层包括Si层。