[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110533897.4 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113421855A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王泰元;陈淑芳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体装置的形成方法，包括：形成在基板的第一区域上方突出的第一半导体条(strip)以及在基板的第二区域上方突出的第二半导体条；形成隔离区于第一半导体条与第二半导体条之间；在第一半导体条及第二半导体条的多个侧壁上并沿着侧壁形成栅极堆叠；蚀刻沟槽，沟槽延伸至栅极堆叠及隔离区中，且沟槽露出基板的第一区域以及基板的第二区域；形成介电层于沟槽的侧壁及底面上；以及在介电层上及沟槽中填充导电材料以形成接触件，其中接触件在隔离区的最底表面下方延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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