[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202110533897.4 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN113421855A | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王泰元;陈淑芳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，该方法包括：
形成在一基板的一第一区域上方突出的一第一半导体条以及在该基板的一第二区域上方突出的一第二半导体条；
形成一隔离区于该第一半导体条与该第二半导体条之间；
在该第一半导体条及该第二半导体条的多个侧壁上并沿着该些侧壁形成一栅极堆叠；
蚀刻一沟槽，该沟槽延伸至该栅极堆叠及该隔离区中，且该沟槽露出该基板的该第一区域以及该基板的该第二区域；
形成一介电层于该沟槽的侧壁及底面上；以及
在该介电层上及该沟槽中填充一导电材料以形成一接触件，其中该接触件在该隔离区的最底表面下方延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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