[发明专利]发光二极管在审
申请号: | 202110524839.5 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN113299622A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 曾晓强;黄少华;杨剑锋;杨力勋 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/495;H01L23/498;H01L25/07;H01L29/861 |
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地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种发光二极管,包括半导体本体,所述半导体本体具有带有适于产生辐射的有源层的外延层序列;以及绝缘基板,所述绝缘基板借助于一金属结合层与所述半导体本体连接,其中所述半导体本体与所述金属结合层的结合界面为一连续性平面;所述绝缘基板具有第一穿通接触部和第二穿通接触部,该第一穿通接触部和第二穿通接触部从所述绝缘基板的朝向半导体本体的第一主面引向所述绝缘基板的背离半导体本体的第二主面,其中第一穿通接触部与所述金属结合层形成电性连接;第一穿通接触部和第二穿通接触部位于所述半导体本体在所述绝缘基板的投影以外的区域。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
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