[发明专利]发光二极管在审

专利信息
申请号: 202110524839.5 申请日: 2019-06-11
公开(公告)号: CN113299622A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 曾晓强;黄少华;杨剑锋;杨力勋 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/495;H01L23/498;H01L25/07;H01L29/861
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管
【说明书】:

发明公开了一种发光二极管,包括半导体本体,所述半导体本体具有带有适于产生辐射的有源层的外延层序列;以及绝缘基板,所述绝缘基板借助于一金属结合层与所述半导体本体连接,其中所述半导体本体与所述金属结合层的结合界面为一连续性平面;所述绝缘基板具有第一穿通接触部和第二穿通接触部,该第一穿通接触部和第二穿通接触部从所述绝缘基板的朝向半导体本体的第一主面引向所述绝缘基板的背离半导体本体的第二主面,其中第一穿通接触部与所述金属结合层形成电性连接;第一穿通接触部和第二穿通接触部位于所述半导体本体在所述绝缘基板的投影以外的区域。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域,具体为一种表面贴装型发光器件。

背景技术

发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯,发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点,因此发光二极管已逐渐取代传统光源,并且应用于各种领域,如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。

从出版物CN102428581A中已知一种表面贴装型的光电子器件,其将用于半导体本体的外延层序列的生长衬底从半导体本体剥离,并且半导体本体借助焊接连接部与绝缘基板连接,该绝缘基板不同于外延层序列的生长衬底。在该光电子器件中,用于连接所述半导体本体与绝缘基板的焊接连接部内部存在结构间隙(通常会填充其他辅助支撑材料,例如绝缘层23),但因填充材料与器件的应力失配,容易发生外延层断裂。

发明内容

本发明的目的在于,提供一种改进的发光二极管,其可表面安装于封装支架之上,并且能够避免外延层序列发生断裂。

根据本发明的第一个方面,一种发光二极管,包括:外延层序列,所述外延层序列具有带有适于产生辐射的有源层;以及绝缘基板,所述绝缘基板借助于一金属结合层与所述外延层序列连接,其中所述外延层序列与所述金属结合层的结合界面为一连续性平面;所述绝缘基板具有第一穿通接触部和第二穿通接触部,该第一穿通接触部和第二穿通接触部从所述绝缘基板的朝向外延层序列的第一主面引向所述绝缘基板的背离外延层序列的第二主面,其中第一穿通接触部与所述金属结合层形成电性连接;第一穿通接触部和第二穿通接触部位于所述外延层序列在所述绝缘基板的投影以外的区域。

根据本发明的第二个方面,发光二极管,包括:外延层序列,所述外延层序列具有带有适于产生辐射的有源层;以及绝缘基板,所述绝缘基板借助于一金属结合层与所述外延层序列连接,其中所述外延层序列分为多个发光单元,每个发光单元与所述金属结合层的结合界面为一连续性平面;所述绝缘基板具有第一穿通接触部和第二穿通接触部,该第一穿通接触部和第二穿通接触部从所述绝缘基板的朝向外延层序列的第一主面引向所述绝缘基板的背离外延层序列的第二主面,其中第一穿通接触部与所述金属结合层形成电性连接;第一穿通接触部和第二穿通接触部位于所述外延层序列在所述绝缘基板的投影以外的区域。

在一些实施例中,所述金属结合层包含施加到所述绝缘基板上的第一金属层和施加到外延层序列上的第二金属层,该第二金属层在所述外延层序列上的投影完整覆盖所述外延层序列的背侧。

优选地,所述第二金属层在所述绝缘基板上的投影位于所述第一金属层内。

优选地,所述外延层序列、第二金属层和第一金属层在所述绝缘基板上的投影分别为P1、P2和P3,其中P1位于P2内,P2位于P3内。

优选地,所述第二金属层包含金属反射层。

优选地,所述外延层序列包括第一类型半导体层、第二类型半导体层以及位于两者之间的有源层,其中第一类型半导体层位于外延层序列的正侧,所述第二金属层包括第一层和第二层,其中第一层从所述半导体序列的背侧向正侧延伸,贯穿所述第二类型半导体层、有源层,与所述第一类型半导体层形成电性连接,第二层与所述金属结合层连接。

在一些实施例中,所述发光二极管进一步包括第二电连接层,位于所述外延层序列之朝向所述绝缘基板的背侧,与所述第二穿通接触部形成电性连接。

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