[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光元件，包括：基板以及设置在该基板的第一主面之上的具有适于产生辐射的有源层的外延层序列，所述基板设置有从所述基板的朝向外延层序列的第一主面引向所述基板的背离外延层序的第二主面的穿通接触部，其特征在于：

所述外延层序列在所述第一主面的投影区域为一个完整面，所述穿通接触部位于所述外延层序列在所述基板的投影以外的区域。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：还包括用于连接所述基板和外延层序列的结合层，所述结合层位于所述连续的平面上。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于：所述结合层包含施加到所述基板上的第一金属层和施加到外延层序列上的第二金属层，该第二金属层在所述外延层序列上的投影完整覆盖所述外延层序列的背侧。

4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述第二金属层在所述基板上的投影位于所述第一金属层内。

5.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述外延层序列、第二金属层和第一金属层在所述绝缘基板上的投影分别为P1、P2和P3，其中P1位于P2内，P2位于P3内。

6.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述第二金属层包含金属反射层。

7.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：所述外延层序列包括第一类型半导体层、第二类型半导体层以及位于两者之间的有源层，其中第一类型半导体层位于外延层序列的正侧，所述第二金属层包括第一层和第二层，其中第一层从所述半导体序列的背侧向正侧延伸，贯穿所述第二类型半导体层、有源层，与所述第一类型半导体层形成电性连接，第二层与所述第一金属层连接。

8.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于：进一步包括第二电连接层，位于所述外延层序列之朝向所述基板的背侧，与所述穿通接触部形成电性连接。

9.根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于：所述第二电连接层包括第一层和第二层，其中第一层位于所述外延层序列与所述第一金属层之间，第二层位于所述外延层序列的外侧。

10.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述发光元件的驱动电流密度为1.5A/mm²以上。

11.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述发光元件的发光角度为120°以下。

12.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于：所述结合层在所述绝缘基板上的投影面积占所述基板的上表面的面积的90%以上。

13.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述外延层序列分为多个发光单元，每个发光单元在所述基板的第一主面的投影区域为连续的平面。

14.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述外延层序列之远离所缘基板的正侧覆盖有一波长转换层。

15.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于：所述穿通接触部包括第一穿通接触部和第二穿通接触部，所述基板的第二主面上设有第一焊接电极和第二焊接电极，其中第一焊接电极与第一穿通接触部形成电连接，第二焊接电极与第二穿通接触部形成电连接。

16.根据权利要求15所述的发光元件，其特征在于：所述第一穿通接触部和第二穿通接触部经由所述基板的侧壁由第一主面引向第二主面。

17.根据权利要求15所述的发光元件，其特征在于：所述第一穿通接触部和第二穿通接触部经由贯穿该基板的通孔由第一主面引向第二主面，其中通孔直径可以为5~10μm。