[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202110499195.9 | 申请日： | 2021-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN113241346B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;冯立伟;童宇诚 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括衬底、多个闸极结构、多个隔离鳍片以及至少一位线。栅极结构设置在衬底上，每个栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸；隔离鳍片设置在衬底上，每个隔离鳍片彼此平行并且分别在每个栅极结构上沿着第一方向延伸。至少一位线设置在衬底上，沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，至少一位线包括沿着垂直于衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个引脚与每个隔离鳍片在第二方向交替排列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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