[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件及其形成方法，半导体器件包括衬底、多个闸极结构、多个隔离鳍片以及至少一位线。栅极结构设置在衬底上，每个栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸；隔离鳍片设置在衬底上，每个隔离鳍片彼此平行并且分别在每个栅极结构上沿着第一方向延伸。至少一位线设置在衬底上，沿着垂直于第一方向的第二方向延伸，其中，至少一位线包括沿着垂直于衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个引脚与每个隔离鳍片在第二方向交替排列。

技术领域

本发明总体上涉及一种半导体器件及其形成方法，更具体地，涉及一种半导体存储器件及其形成方法。

背景技术

动态随机存取存储器(DRAM)是一种易失性存储器，在许多电子设备中被广泛地用作重要部分。传统的动态随机存取存储器装置由多个存储单元聚集形成一阵列，用于数据存储。每个存储单元可以由金属氧化物半导体(MOS)晶体管和的电容器串联组成。

随着提高集成度而不断缩小动态随机存取存储器件的尺寸，存储单元之间的电性连接的建置的变得越来越困难。同时，动态随机存取存储器件的各存储单元内的晶体管和电容器因产品需求及单元密度等考量而有许多不同的结构设计。因此，如何改进动态随机存取存储器制作工艺仍是相关领域的研究热点。

发明内容

本发明的目的之一是提供一种半导体器件及其形成方法，其中所述半导体器件包括梳状或栅状位线，所述梳状或栅状位线具有可选择性地连接或不连接到晶体管的引脚，以便提供更好的功能和性能。此外，所述半导体器件的梳状或栅状位线可以通过双镶嵌制作工艺来形成，并且通过快速和方便的工艺流程来实现所述半导体器件的制作工艺，以节省时间和成本。

为了实现上述目的，本发明的一个实施例提供了一种半导体器件，包括衬底、多个闸极结构、多个隔离鳍片以及至少一位线。所述栅极结构设置在所述衬底中，每个所述栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸。所述隔离鳍片设置在所述衬底上，每个所述隔离鳍片彼此平行并且分别在每个所述栅极结构上沿着所述第一方向延伸。所述至少一位线设置在所述衬底上，沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸，其中，所述至少一位线包括沿着垂直于所述衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个所述引脚与每个所述隔离鳍片在所述第二方向交替排列。

为了实现上述目的，本发明的一个实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤。首先，提供衬底，并且在所述衬底中形成多个栅极结构，每个所述栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸。接下来，在所述衬底上形成多个隔离鳍片，其中每个所述隔离鳍片彼此平行并且分别在每个所述栅极结构上沿着所述第一方向延伸。然后，在所述衬底上形成沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸的至少一条位线。所述至少一位线包括沿着垂直于所述衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个所述引脚与每个所述隔离鳍片在第二方向交替排列。

为了实现上述目的，本发明的一个实施例提供了另一种半导体器件，包括衬底、绝缘层、以及多个闸极结构。所述绝缘层设置在所述衬底上，并且所述栅极结构设置在所述衬底上，其中，所述栅极结构包括设置在所述绝缘层上的第一闸极结构以及部分伸入所述衬底内的第二闸极结构。

在阅读了在以下各种附图中示出的优选实施例的详细描述之后，本发明的目的对于本领域技术人员来说无疑将变得显而易见。

附图说明

图1和图2示出根据本发明的优选实施例的半导体器件的示意图，其中：

图1示出了半导体器件的俯视图；以及

图2示出了沿着图1中的剖面线A-A’截取的剖视图。

图3-12示出根据本发明的优选实施例的半导体器件的形成方法的示意图，其中：

图3示出了形成隔离层之后的半导体器件的俯视图；

图4示出了沿着图3中的剖面线B-B’、C-C’截取的剖视图；

图5示出了形成隔离鳍片之后的半导体器件的俯视图；