[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

多个栅极结构设置在所述衬底中，所述栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸；

多个隔离鳍片设置在所述衬底上，所述隔离鳍片彼此平行并且分别在所述栅极结构上沿着所述第一方向延伸；以及

至少一位线设置在所述衬底上，沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸，其中，所述至少一位线包括沿着垂直于所述衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个所述引脚与每个所述隔离鳍片在所述第二方向交替排列，部分的所述隔离鳍片的顶面以及两侧面同时被所述至少一位线中的同一位线覆盖，未被位线覆盖的另一部分的隔离鳍片在衬底的投影方向上的高度大于被位线覆盖的隔离鳍片的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述引脚包括多个第一引脚以及多个第二引脚，所述第一引脚未直接接触所述衬底，所述第二引脚直接接触所述衬底。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每个所述第二引脚设置在两个相邻的所述第一引脚之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，更包括：

第一间隙壁，设置在所述至少一位线的侧壁上；以及

第二间隙壁，设置在所述隔离鳍片的侧壁上，其中所述第二间隙壁的一部分设置在衬底内，并且所述第二间隙壁的所述部分的最底表面低于所述衬底的顶表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一位线包括由下而上堆栈的半导体层、阻障层以及导电层，并且所述半导体层以及所述阻障层包括U型结构。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述至少一位线还包括设置在所述半导体层、所述阻障层以及所述导电层上方的盖层。

7.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成多个栅极结构，所述栅极结构彼此平行并且沿着第一方向延伸；

在所述衬底上形成多个隔离鳍片，所述隔离鳍片彼此平行并且分别在所述栅极结构上沿着所述第一方向延伸；以及

在所述衬底上形成沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸的至少一位线，其中所述至少一位线包括沿着垂直于所述衬底的方向延伸的多个引脚，并且每个所述引脚与每个所述隔离鳍片在所述第二方向交替排列，部分的所述隔离鳍片的顶面以及两侧面同时被所述至少一位线中的同一位线覆盖，未被位线覆盖的另一部分的隔离鳍片在衬底的投影方向上的高度大于被位线覆盖的隔离鳍片的高度，所述至少一位线包括由下而上堆栈的半导体层、阻障层以及导电层。

8.根据权利要求7所述的形成半导体器件的方法，其特征在于，所述隔离鳍片的部分设置在所述引脚之间。

9.根据权利要求7所述的形成半导体器件的方法，其特征在于，所述引脚包括多个第一引脚和多个第二引脚，所述多个第一引脚不直接接触所述衬底，所述多个第二引脚直接接触所述衬底，且所述多个第一引脚以及所述多个第二引脚由双镶嵌制作工艺形成。

10.根据权利要求7所述的形成半导体器件的方法，其特征在于，包括：

在所述至少一位线的侧壁上形成第一间隙壁；以及

在所述隔离鳍片的侧壁上形成第二间隙壁，其中所述第一间隙壁和所述第二间隙壁同时形成。

11.根据权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其特征在于，所述第一间隙壁和所述第二间隙壁的形成早于所述至少一位线的形成。

12.根据权利要求10所述的形成半导体器件的方法，其特征在于，所述第二间隙壁的一部分设置在所述衬底内，并且所述第二间隙壁的最底表面低于所述衬底的顶表面。