[发明专利]多层掩模层及其形成方法在审
| 申请号： | 202110496596.9 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113488387A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 陈玟儒;柯忠廷;张雅岚;陈亭纲;黄泰钧;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/033;G03F7/20;G03F1/70;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 郭妍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及多层掩模层及其形成方法。一种方法包括：在衬底之上形成半导体层；蚀刻半导体层的一部分以形成第一凹部和第二凹部；在半导体层之上形成第一掩模层；在第一掩模层上执行第一热处理，该第一热处理使第一掩模层致密化；蚀刻第一掩模层以使所述第一凹口暴露；在第一凹口中形成第一半导体材料；并且去除第一掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 掩模层 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
