[发明专利]多层掩模层及其形成方法

权利要求书

1.一种形成多层掩模层的方法，包括：

在衬底之上形成半导体层；

蚀刻所述半导体层的一部分以形成第一凹部和第二凹部；

在所述半导体层之上形成第一类型掩模层，形成所述第一类型掩模层包括：

在所述半导体层之上形成第一掩模层；并且

形成第二掩模层，其中，在形成所述第二掩模层之后，所述第二掩模层位于所述第一掩模层的一部分之上；

蚀刻所述第一类型掩模层以使所述半导体层暴露；

在所述第一凹部中形成第一半导体材料；并且

去除所述第一类型掩模层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模层包含氧化铝。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二掩模层包括在所述第一掩模层之上沉积新的材料层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二掩模层包括：利用第一化学品修改所述第一掩模层以将所述第一掩模层的上部部分转换为所述第二掩模层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在修改所述第一掩模层之后，所述第一化学品的元素在所述第二掩模层中具有浓度梯度。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，在修改所述第一掩模层之后，所述第一化学品的元素在整个所述第二掩模层的厚度上的浓度相同。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体层之上形成第二类型掩模层；

蚀刻所述第二类型掩模层以使所述半导体层暴露；并且

在所述第二凹部中形成第二半导体材料。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一掩模层包括通过原子层沉积来沉积所述第一掩模层。

9.一种形成多层掩模层的方法，包括：

在第一衬底之上形成半导体层；

蚀刻所述半导体层以在第一区域中形成第一凹部并在第二区域中形成第二凹部；

在所述第一区域和所述第二区域之上沉积第一掩模层的第一部分；

在所述第一掩模层的第一部分之上形成第二掩模层；

从所述第二区域去除所述第一掩模层和所述第二掩模层；

在所述第二凹部中形成第一外延源极/漏极区域；

去除所述第一掩模层的剩余部分和所述第二掩模层的剩余部分；

在所述第一区域和所述第二区域之上沉积第三掩模层的第一部分；

在所述第三掩模层的第一部分之上形成第四掩模层；

从所述第一区域去除所述第三掩模层和所述第四掩模层；

在所述第一凹部中形成第二外延源极/漏极区域；

去除所述第三掩模层的剩余部分和所述第四掩模层的剩余部分；并且

在所述半导体层之上形成栅极结构。

10.一种形成多层掩模层的方法，包括：

在衬底之上沉积第一掩模层，其中，所述第一掩模层具有第一厚度；

在所述第一掩模层之上形成第二掩模层，在形成所述第二掩模层之后，所述第一掩模层具有不同于所述第一厚度的第二厚度，并且其中，所述第二掩模层具有第三厚度；

蚀刻所述第一掩模层和所述第二掩模层以使所述衬底的一部分暴露；

在所述第二掩模层之上生长第一半导体材料，并且在所述衬底的该部分之上生长第二半导体材料；并且

蚀刻以去除所述第一掩模层和所述第二掩模层。