[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110495190.9 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113437043A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 吕文隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：第一线路层，第一线路层的表面上具有多个第一线路结构；第二线路层，第二线路层的表面上具有多个第二线路结构，第一线路结构与第二线路结构相对并且电性连接到相应的第二线路结构的表面，其中，多个第一线路结构的表面处作为与多个第二线路结构电性连接的多个电性接点，多个电性接点中的至少两个电性接点的水平位置不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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