[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一线路层，所述第一线路层的表面上具有多个第一线路结构；

第二线路层，所述第二线路层的表面上具有多个第二线路结构，所述第一线路结构与所述第二线路结构相对并且电性连接到相应的所述第二线路结构的表面，

其中，所述多个第一线路结构的所述表面处作为与所述多个第二线路结构电性连接的多个电性接点，所述多个电性接点中的至少两个电性接点的水平位置不同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一线路结构包括焊盘，所述第二线路结构包括导电柱。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二线路层的介电层的表面上具有多个凹部，所述多个第二线路结构分别位于所述多个凹部中并且突出于所述介电层的所述表面。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多个凹部中的至少两个凹部下方的所述介电层具有不同厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一线路结构通过焊料层电性连接到相应的所述第二线路结构的表面。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

粘合层，位于所述第一线路层和所述第二线路层之间，其中，所述多个电性接点位于所述粘合层内。

7.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，

提供具有多个第一线路结构的第一线路层以及具有多个第二线路结构的第二线路层；

设置介电层覆盖所述第二线路层的所述多个第二线路结构；

将所述多个第一线路结构与所述第二线路层的所述介电层相对并且压合，以在所述介电层中形成与所述多个第一线路结构对应的多个预定凹部；

在所述多个预定凹部内形成多个导电层；

将所述多个导电层电性连接到所述多个第一线路结构。

8.根据权利要求7所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，将所述多个导电层电性连接到所述多个第一线路结构包括：

在所述第一线路层的所述多个第一线路结构和所述第二线路层的所述多个导电层之间设置粘合层；

将所述第一线路层与所述第二线路层压合，以使所述多个第一线路结构和所述多个导电层穿过所述粘合层并相互电性连接。

9.根据权利要求8所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，

每个所述导电层与所述预定凹部的侧壁之间具有间隔，并且所述粘合层填充在所述间隔内。

10.根据权利要求7所述的形成半导体结构的方法，其特征在于，在形成所述多个预定凹部之后，每个所述预定凹部下方的所述介电层仍覆盖所述第二线路结构。