[发明专利]连接处理容器、基板处理系统以及基板处理方法在审
申请号: | 202110494269.X | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN113707573A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 山岸孝幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供连接处理容器、基板处理系统以及基板处理方法。对于相连接的处理容器,能够进行稳定的支承并且抑制由热膨胀导致的基板的输送位置的偏移。连接处理容器构成为包括:第1处理容器和第2处理容器,其以形成有间隙的方式在横向上并列设置,分别收纳基板,以进行真空处理;以及连接部,其以跨过所述间隙地连接所述第1处理容器和所述第2处理容器的方式设置,能够相对于所述第1处理容器和第2处理容器中的至少一者沿所述横向滑动。 | ||
搜索关键词: | 连接 处理 容器 系统 以及 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造