[发明专利]连接处理容器、基板处理系统以及基板处理方法在审
| 申请号： | 202110494269.X | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113707573A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 山岸孝幸 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接 处理 容器 系统 以及 方法 | ||
本发明提供连接处理容器、基板处理系统以及基板处理方法。对于相连接的处理容器，能够进行稳定的支承并且抑制由热膨胀导致的基板的输送位置的偏移。连接处理容器构成为包括：第1处理容器和第2处理容器，其以形成有间隙的方式在横向上并列设置，分别收纳基板，以进行真空处理；以及连接部，其以跨过所述间隙地连接所述第1处理容器和所述第2处理容器的方式设置，能够相对于所述第1处理容器和第2处理容器中的至少一者沿所述横向滑动。
技术领域
本公开涉及连接处理容器、基板处理系统以及基板处理方法。
背景技术
在半导体器件的制造工序中，将作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)收纳于处理容器，进行伴随加热的成膜处理、蚀刻处理等。在专利文献1中记载有这样一种基板处理装置，该基板处理装置包括：真空输送室140，其具备输送晶圆200的机器人170；以及多个腔室202，其与该真空输送室140连接并且通过加热和供给处理气体来对晶圆200进行处理。对于多个腔室202，其中的每两个腔室以共用彼此的侧壁的方式连接，机器人170相对于这样共用侧壁的两个腔室202成批地交接晶圆200。
专利文献1：日本特开2017－69314号公报
发明内容
本公开提供一种对于相连接的处理容器能够进行稳定的支承并且能够抑制由热膨胀导致的基板的输送位置的偏移的技术。
本公开的连接处理容器包括：
第1处理容器和第2处理容器，其以形成有间隙的方式在横向上并列设置，分别收纳基板，以进行真空处理；以及
连接部，其以跨过所述间隙地连接所述第1处理容器和所述第2处理容器的方式设置，能够相对于所述第1处理容器和第2处理容器中的至少一者沿所述横向滑动。
根据本公开，对于相连接的处理容器，能够进行稳定的支承并且能够抑制由热膨胀导致的基板的输送位置的偏移。
附图说明
图1是本公开的第1实施方式所涉及的基板处理系统的俯视图。
图2是设于所述基板处理系统的连接处理容器的纵剖侧视图。
图3是所述连接处理容器的后视立体图。
图4是构成所述连接处理容器的各处理容器的俯视图。
图5是所述处理容器的概略纵剖侧视图。
图6是表示所述处理容器彼此之间的距离变化的情况的纵剖视的说明图。
图7是表示所述处理容器彼此之间的距离变化的情况的俯视的说明图。
图8是本公开的第2实施方式所涉及的连接处理容器的俯视图。
图9是所述处理容器的侧视图。
图10是表示处理容器彼此之间的距离变化的情况的所述连接处理容器的纵剖侧视图。
图11是本公开的第3实施方式所涉及的连接处理容器的纵剖侧视图。
图12是表示处理容器彼此之间的距离变化的情况的所述连接处理容器的纵剖侧视图。
具体实施方式
(第1实施方式)
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
