[发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构有效
| 申请号： | 202110476539.4 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113192828B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 宛强;占康澍;夏军;李森;徐朋辉;刘涛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H10B12/00;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 王欢;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，旨在解决半导体的外围电路中晶体管稳定性较低的问题。该半导体的制备方法包括提供基底；基底中具有有源区；在基底上形成栅极层；在栅极层的外周形成隔离结构；在远离栅极层的方向上，隔离结构至少包括中空部和隔离部；在栅极层和隔离结构的顶表面上形成绝缘结构；形成接触插塞；接触插塞穿设绝缘结构，接触插塞靠近基底的一端与有源区电连接，接触插塞位于隔离结构的远离栅极层的一侧；形成导电层；导电层与接触插塞远离基底的一端电连接。本发明能够有效提高半导体结构中晶体管的稳定性，提升半导体结构的工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
