[发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构

说明书

本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，旨在解决半导体的外围电路中晶体管稳定性较低的问题。该半导体的制备方法包括提供基底；基底中具有有源区；在基底上形成栅极层；在栅极层的外周形成隔离结构；在远离栅极层的方向上，隔离结构至少包括中空部和隔离部；在栅极层和隔离结构的顶表面上形成绝缘结构；形成接触插塞；接触插塞穿设绝缘结构，接触插塞靠近基底的一端与有源区电连接，接触插塞位于隔离结构的远离栅极层的一侧；形成导电层；导电层与接触插塞远离基底的一端电连接。本发明能够有效提高半导体结构中晶体管的稳定性，提升半导体结构的工作性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法和半导体结构。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。

DRAM器件的电路结构包括位于核心区域的核心电路，以及位于外围区域的外围电路。其中，核心区域中分布有多个呈阵列排布的存储单元，核心电路主要用于为多个存储单元提供驱动电流，以实现存储单元的存储过程。外围电路围设在核心电路的外围，主要用于为核心电路提供驱动电流，同时控制核心电路的工作时序。外围电路中主要包括晶体管，晶体管结构的稳定性影响外围电路的工作性能。

然而，目前的外围电路中，晶体管的稳定性较低，影响外围电路的工作性能。

发明内容

为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，能够有效提高半导体结构中晶体管的稳定性，提升半导体结构的工作性能。

为了实现上述目的，第一方面，本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：

提供基底；基底中具有有源区。

在基底上形成栅极层。

在栅极层的外周形成隔离结构；在远离栅极层的方向上，隔离结构至少包括中空部和隔离部。

在隔离结构的顶表面上形成绝缘结构。

形成接触插塞；接触插塞穿设绝缘结构，接触插塞靠近基底的一端与有源区电连接，接触插塞位于隔离结构的远离栅极层的一侧。

形成导电层；导电层与接触插塞远离基底的一端电连接。

本发明提供的半导体结构的制备方法，通过在基底上形成栅极层，并且在栅极层的外周形成隔离结构，利用隔离结构保护栅极层。通过在隔离结构的远离栅极层的一侧形成接触插塞，利用接触插塞连接有源区和导电层，实现有源区与导电层之间电信号传输。其中，通过将隔离结构设置在为中空部和隔离部，通过中空部形成空气隙(Air Gap)，通过中空部和隔离部共同阻隔栅极层和接触插塞，避免两者之间发生电接触或信号干扰的问题，从而有助于减小半导体结构的特征尺寸，提高半导体结构的稳定性，从而提升半导体结构的工作性能。

在上述的半导体结构的制备方法中，可选的是，在提供基底的步骤中，包括：

在基底中形成有源区和隔离区；

在有源区中形成依次排布的源极区、源极低掺杂区、沟道区、漏极低掺杂区和漏极区。

通过设置源极低掺杂区和漏极低掺杂区，可以与隔离结构相互配合，并且有助于减小源漏极之间的漏电流。

在上述的半导体结构的制备方法中，可选的是，在基底上形成栅极层的步骤中，包括：

在基底上形成第一介质层；第一介质层与沟道区相对设置；

在第一介质层的顶表面上形成栅极半导体层；

在栅极半导体层的顶表面上形成栅极导电层；