[发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；所述基底中具有有源区；

在所述基底上形成栅极层；

在所述栅极层的外周形成隔离结构；在远离所述栅极层的方向上，所述隔离结构至少包括中空部和隔离部；在远离所述栅极层的方向上，所述隔离结构的厚度范围为15-40nm；

所述在所述栅极层的外周形成隔离结构，包括：在所述栅极层的外周形成所述隔离结构的中空部；在所述中空部的外周形成隔离部;

所述在所述栅极层的外周形成所述隔离结构的中空部的步骤中，包括：

在所述栅极层的侧壁上的形成第三介质层；

在所述第三介质层的侧壁上的形成第四介质层；

在所述第四介质层的侧壁上的形成第五介质层，所述基底、所述栅极层、所述第三介质层以及所述第四介质层的顶表面均暴露；

去除所述第四介质层；

在所述第三介质层和所述第五介质层的侧壁面，以及位于所述第三介质层和所述第五介质层之间的，所述基底的顶表面形成第六介质层；其中，所述第五介质层的侧壁面包括朝向所述第三介质层的第一侧壁面和背离所述第三介质层的第二侧壁面，所述第六介质层覆盖在所述第一侧壁面和所述第二侧壁面上，以增加所述隔离结构的厚度；

位于所述第三介质层和所述第五介质层之间的所述第六介质层中形成有中空区域，所述中空区域形成所述中空部；

所述在所述中空部的外周形成隔离部的步骤中，包括：

在所述基底、所述栅极层、所述第三介质层、所述第五介质层和所述第六介质层的表面形成第七介质层；

位于所述中空部外围的所述第五介质层、所述第六介质层和部分所述第七介质层形成所述隔离部，或，位于所述中空部外围的所述第五介质层和所述第六介质层形成所述隔离部；

在所述隔离结构的顶表面上形成绝缘结构；

形成接触插塞；所述接触插塞穿设所述绝缘结构，所述接触插塞靠近所述基底的一端与所述有源区电连接，所述接触插塞位于所述隔离结构的远离所述栅极层的一侧；且所述接触插塞靠近所述基底的一端位于所述基底内；

形成导电层；所述导电层与所述接触插塞远离所述基底的一端电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述提供基底的步骤中，包括：

在所述基底中形成有源区和隔离区；

在所述有源区中形成依次排布的源极区、源极低掺杂区、沟道区、漏极低掺杂区和漏极区。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上形成栅极层的步骤中，包括：

在所述基底上形成第一介质层；所述第一介质层与所述沟道区相对设置；

在所述第一介质层的顶表面上形成栅极半导体层；

在所述栅极半导体层的顶表面上形成栅极导电层；

在所述栅极导电层的顶表面上形成第二介质层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第三介质层、所述第四介质层以及所述第五介质层，包括：

在所述基底和所述栅极层的表面形成第三介质层；

去除所述基底和所述栅极层的顶表面上的所述第三介质层，保留所述栅极层的侧壁上的所述第三介质层；

在所述基底、所述栅极层以及所述第三介质层的表面形成第四介质层；

去除所述基底、所述栅极层和所述第三介质层的顶表面上的所述第四介质层，保留所述第三介质层的侧壁上的所述第四介质层；

在所述基底、所述栅极层、所述第三介质层以及所述第四介质层的表面形成第五介质层；

去除所述基底、所述栅极层、所述第三介质层以及所述第四介质层的顶表面的所述第五介质层，保留所述第四介质层的侧壁上的所述第五介质层；形成所述第六介质层，包括：

在所述基底、所述栅极层、所述第五介质层以及所述第三介质层的表面形成第六介质层；

去除所述栅极层、所述第三介质层和所述第五介质层的顶表面，以及所述基底的部分顶表面的所述第六介质层，保留所述第三介质层和所述第五介质层的侧壁面的所述第六介质层，以及保留位于所述第三介质层和所述第五介质层之间的，所述基底的顶表面的所述第六介质层。