[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202110461917.1 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113571576A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 林基富;陈钲欣;徐明义;黄坤铭;郭建利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置包括在衬底中形成的至第一深度和第一宽度的第一阱以及在衬底中形成的至第二深度和第二宽度的第二阱。在第二阱中形成第一阱，第一深度大于第二深度，并且第二宽度大于第一宽度。在第二阱中形成源极区域，并且在衬底中形成漏极区域。本申请的实施例还涉及形成半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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