[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置100的方法，包括：

在衬底102中形成至第一深度(d₁)和第一宽度(W₁)的第一阱124；以及

在所述衬底中形成至第二深度(d₄)和第二宽度(W₂)的第二阱134，其中：

所述第二阱围绕所述第一阱，

所述第一深度大于所述第二深度，以及

所述第二宽度大于所述第一宽度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一深度比所述第二深度大至少0.1微米。

3.根据权利要求1所述的方法，包括：

通过使所述衬底经受掺杂剂驱入条件，将所述第一阱的掺杂剂从所述衬底中的所述第一深度驱动至所述衬底中的第三深度(d₂或d₃)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述掺杂剂驱入条件包括900摄氏度至1000摄氏度范围内的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述衬底中形成埋氧层104，其中：

形成所述第一阱包括在所述衬底中形成至第三深度的所述第一阱，以及

所述第三深度是所述埋氧层的上表面130的深度。

6.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述第二阱中形成第一导电区域138’；以及

在所述衬底中形成第二导电区域138”。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

形成所述第一导电区域包括利用第一掺杂剂类型掺杂所述衬底，以及

所述第一掺杂剂类型是与所述第二阱的掺杂剂类型不同的掺杂剂类型。

8.根据权利要求1所述的方法，包括：

在所述第二阱内形成至所述第一阱的第一侧的第一导电区域138’；以及

在所述第二阱内形成至所述第一阱的与所述第一侧相对的第二侧的第二导电区域。

9.一种半导体装置100，包括：

衬底102；

第一掺杂剂类型的第一阱124，位于所述衬底中，其中，所述第一阱的深度(d₁)是第一深度，并且所述第一阱的宽度(W₁)是第一宽度；以及

第二掺杂剂类型的第二阱134，位于所述衬底中，其中：

所述第二阱的深度(d₄)是第二深度，并且所述第二阱的宽度(W₂)是第二宽度，

所述第一掺杂剂类型是与所述第二掺杂剂类型相同的掺杂剂类型，

所述第一深度大于所述第二深度，以及

所述第二宽度大于所述第一宽度。

10.一种半导体装置100，包括：

衬底102；

第一掺杂剂类型的第一阱，位于所述衬底中；

所述第一掺杂剂类型的第二阱，位于所述衬底中；

第二掺杂剂类型的源极区域138’，位于所述第二阱中，其中，所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型不同；以及

所述第二掺杂剂类型的漏极区域138”，位于所述衬底，其中：

所述衬底中的所述第一阱的深度大于所述衬底中的所述第二阱的深度，以及

所述源极区域位于所述第一阱和所述漏极区域之间。