[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

半导体装置包括在衬底中形成的至第一深度和第一宽度的第一阱以及在衬底中形成的至第二深度和第二宽度的第二阱。在第二阱中形成第一阱，第一深度大于第二深度，并且第二宽度大于第一宽度。在第二阱中形成源极区域，并且在衬底中形成漏极区域。本申请的实施例还涉及形成半导体装置的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体装置用于多种电子器件，诸如消费品、工业电子产品、电器以及航空航天和运输器件。一些半导体装置包括横向绝缘栅极双极晶体管(LIGBT)。LIGBT是将金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的输入阻抗和开关速度与双极结型晶体管(BJT)的导电特性结合的器件。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成半导体装置100的方法，包括：在衬底102中形成至第一深度(d₁)和第一宽度(W₁)的第一阱124；以及在所述衬底中形成至第二深度(d₄)和第二宽度(W₂)的第二阱134，其中：所述第二阱围绕所述第一阱，所述第一深度大于所述第二深度，以及所述第二宽度大于所述第一宽度。

本申请的另一些实施例提供了一种半导体装置100，包括：衬底102；第一掺杂剂类型的第一阱124，位于所述衬底中，其中，所述第一阱的深度(d₁)是第一深度，并且所述第一阱的宽度(W₁)是第一宽度；以及第二掺杂剂类型的第二阱134，位于所述衬底中，其中：所述第二阱的深度(d₄)是第二深度，并且所述第二阱的宽度(W₂)是第二宽度，所述第一掺杂剂类型是与所述第二掺杂剂类型相同的掺杂剂类型，所述第一深度大于所述第二深度，以及所述第二宽度大于所述第一宽度。

本申请的又一些实施例提供了一种半导体装置100，包括：衬底102；第一掺杂剂类型的第一阱，位于所述衬底中；所述第一掺杂剂类型的第二阱，位于所述衬底中；第二掺杂剂类型的源极区域138’，位于所述第二阱中，其中，所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型不同；以及所述第二掺杂剂类型的漏极区域138”，位于所述衬底，其中：所述衬底中的所述第一阱的深度大于所述衬底中的所述第二阱的深度，以及所述源极区域位于所述第一阱和所述漏极区域之间。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图12是根据一些实施例的半导体装置在制造的各个阶段的截面图。

图13至图14是根据一些实施例的半导体装置的顶视图。

图15A至图15B示出了根据一些实施例的半导体装置的阱的版本。

图16A至图16C、图17和图18是根据一些实施例的半导体装置的顶视图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。