[发明专利]湿法刻蚀装置及方法在审
| 申请号： | 202110459873.9 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314439A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 刘旭华;张锐 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高天华;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种湿法刻蚀装置和方法，所述装置包括：第一通气子装置、第二通气子装置及反应槽；其中，所述反应槽，用于盛放用于进行湿法刻蚀的第一液体；所述第一通气子装置及所述第二通气子装置均设置在所述反应槽中，且均用于向所述反应槽中通入第一气体；通过所述第一气体的气流作用搅动所述第一液体；所述第一通气子装置开设有多个第一出气口，且输入所述第一通气子装置中的第一气体通过不同位置的第一出气口排出的流速不同；所述第二通气子装置开设有用于排出第一气体的多个第二出气口，通过所述第一通气子装置和所述第二通气子装置的共同作用，使得所述反应槽中各位置处的第一气体的流速差值小于第一预设值。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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