[发明专利]湿法刻蚀装置及方法

说明书

本发明实施例提供了一种湿法刻蚀装置和方法，所述装置包括：第一通气子装置、第二通气子装置及反应槽；其中，所述反应槽，用于盛放用于进行湿法刻蚀的第一液体；所述第一通气子装置及所述第二通气子装置均设置在所述反应槽中，且均用于向所述反应槽中通入第一气体；通过所述第一气体的气流作用搅动所述第一液体；所述第一通气子装置开设有多个第一出气口，且输入所述第一通气子装置中的第一气体通过不同位置的第一出气口排出的流速不同；所述第二通气子装置开设有用于排出第一气体的多个第二出气口，通过所述第一通气子装置和所述第二通气子装置的共同作用，使得所述反应槽中各位置处的第一气体的流速差值小于第一预设值。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种湿法刻蚀装置及方法。

背景技术

在半导体的制造过程中，湿法刻蚀是很重要的制造技术之一。湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求，它是一种纯化学刻蚀，具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。在湿法刻蚀的装置中，常见的一种是把整个批次(英文表达为lot)或多个lot的晶圆同时浸没入湿法刻蚀装置的反应槽中，使得反应槽中的化学溶液和晶圆表面发生反应，进行湿法刻蚀。

然而，利用相关技术中的湿法刻蚀装置进行湿法刻蚀时，存在晶圆间刻蚀均匀性差的问题。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种湿法刻蚀装置和方法，能够改善晶圆间湿法刻蚀均匀性差的问题。

本发明实施例提供了一种湿法刻蚀装置，包括：

第一通气子装置、第二通气子装置及反应槽；其中，

所述反应槽，用于盛放用于进行湿法刻蚀的第一液体；

所述第一通气子装置及所述第二通气子装置均设置在所述反应槽中，且均用于向所述反应槽中通入第一气体；通过所述第一气体的气流作用搅动所述第一液体；

所述第一通气子装置开设有多个第一出气口，且输入所述第一通气子装置中的第一气体通过不同位置的第一出气口排出的流速不同；所述第二通气子装置开设有用于排出第一气体的多个第二出气口，通过所述第一通气子装置和所述第二通气子装置的共同作用，使得所述反应槽中各位置处的第一气体的流速差值小于第一预设值。

上述方案中，所述第一通气子装置包括多根第一管路，所述多根第一管路横向并列地设置在所述反应槽底部；所述第一管路具有第一端和第二端，所述第一管路上开设有多个第一出气口，所述第一出气口用于实现将通过所述第一端输入的第一气体输送至所述反应槽内，以搅动所述第一液体；

所述第二通气子装置包括连接的第二管路和第三管路；所述第三管路纵向设置在与所述第一管路两端中靠近第二端的位置；所述第三管路上开设有多个第二出气口，所述第二出气口用于实现将通过第二管路输入第三管路的第一气体输送至所述反应槽内，以使得所述第一管路两端位置处的第一气体的流速差值小于第一预设值。

上述方案中，连接的所述第二管路和所述第三管路所形成的形状包括T形或L形。

上述方案中，所述T形为自第二管路和第三管路连接处第二管路的一端与第三管路的中间位置连接。

上述方案中，所述L形为自第二管路和第三管路连接处第二管路的一端与第三管路的一端连接。

上述方案中，所述第二通气子装置包括一个或多个。

上述方案中，所述第一通气子装置还包括第四管路，所述第四管路与所述多根第一管路的第一端连接；

通过所述第四管路向所述第一管路中通入所述第一气体。

上述方案中，所述第二通气子装置还包括第五管路，所述第五管路与所述第二管路连接；