[发明专利]湿法刻蚀装置及方法在审
| 申请号: | 202110459873.9 | 申请日: | 2021-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN113314439A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
| 发明(设计)人: | 刘旭华;张锐 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高天华;张颖玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 湿法 刻蚀 装置 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀装置,其特征在于,所述装置包括:第一通气子装置、第二通气子装置及反应槽;其中,
所述反应槽,用于盛放用于进行湿法刻蚀的第一液体;
所述第一通气子装置及所述第二通气子装置均设置在所述反应槽中,且均用于向所述反应槽中通入第一气体;通过所述第一气体的气流作用搅动所述第一液体;
所述第一通气子装置开设有多个第一出气口,且输入所述第一通气子装置中的第一气体通过不同位置的第一出气口排出的流速不同;所述第二通气子装置开设有用于排出第一气体的多个第二出气口,通过所述第一通气子装置和所述第二通气子装置的共同作用,使得所述反应槽中各位置处的第一气体的流速差值小于第一预设值。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一通气子装置包括多根第一管路,所述多根第一管路横向并列地设置在所述反应槽底部;所述第一管路具有第一端和第二端,所述第一管路上开设有多个第一出气口,所述第一出气口用于实现将通过所述第一端输入的第一气体输送至所述反应槽内,以搅动所述第一液体;
所述第二通气子装置包括连接的第二管路和第三管路;所述第三管路纵向设置在与所述第一管路两端中靠近第二端的位置;所述第三管路上开设有多个第二出气口,所述第二出气口用于实现将通过第二管路输入第三管路的第一气体输送至所述反应槽内,以使得所述第一管路两端位置处的第一气体的流速差值小于第一预设值。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,连接的所述第二管路和所述第三管路所形成的形状包括T形或L形。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述T形为自第二管路和第三管路连接处第二管路的一端与第三管路的中间位置连接。
5.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述L形为自第二管路和第三管路连接处第二管路的一端与第三管路的一端连接。
6.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第二通气子装置包括一个或多个。
7.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第一通气子装置还包括第四管路,所述第四管路与所述多根第一管路的第一端连接;
通过所述第四管路向所述第一管路中通入所述第一气体。
8.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第二通气子装置还包括第五管路,所述第五管路与所述第二管路连接;
通过所述第五管路向所述第二管路中通入所述第一气体。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一通气子装置包括多根第一管路,所述多根第一管路横向并列地设置在所述反应槽底部;所述第一管路具有第一端和第二端,所述第一管路上开设有多个第一出气口,所述第一出气口用于实现将通过所述第一端输入的第一气体输送至所述反应槽内,以搅动所述第一液体;
所述第二通气子装置包括多根第六管路,所述多根第六管路横向并列地设置在所述反应槽底部;所述第六管路具有第三端和第四端,所述第三端与所述第二端位于所述第一管路的同一端;所述第六管路上开设有多个第三出气口,所述第三出气口用于实现将通过所述第三端输入的第一气体输送至所述反应槽内,以使得所述第一管路两端位置处的第一气体的流速差值小于第一预设值。
10.一种湿法刻蚀方法,其特征在于,所述方法基于权利要求1至权利要求9任一项所述的湿法刻蚀装置进行,所述方法包括:
将待处理器件置于反应槽内;
通过第一通气子装置及第二通气子装置向所述反应槽中通入第一气体,以搅动所述第一液体;
通过所述第一通气子装置和所述第二通气子装置的共同作用,使得所述反应槽中各位置处的第一气体的流速差值小于第一预设值。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,
所述第一通气子装置包括多根第一管路,所述多根第一管路横向并列地设置在所述反应槽底部;
所述待处理器件纵向并列设置在所述反应槽中。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述待处理器件上形成有堆叠结构、穿过所述堆叠结构的沟道孔以及位于所述沟道孔间且穿过所述堆叠结构的狭缝;所述堆叠结构包括间隔设置的牺牲层和绝缘层;
对待处理器件进行湿法刻蚀时,所述第一液体通过所述狭缝进入所述待处理器件,以使所述牺牲层被去除。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110459873.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





