[发明专利]一种混合型CMOS-忆阻全加器电路有效
| 申请号： | 202110456022.9 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113285705B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 林弥;王旭亮;陈俊杰;韩琪;罗文瑶 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/017 | 分类号： | H03K19/017 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 陆永强 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合型CMOS‑忆阻全加器电路，包括第一阈值型忆阻器M1、第二阈值型忆阻器M2、第三阈值型忆阻器M3，第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第五NMOS晶体管NM5、第六NMOS晶体管NM6、第七NMOS晶体管NM7、第八NMOS晶体管NM8，第一PMOS晶体管PM1、第二PMOS晶体管PM2、第三PMOS晶体管PM3、第四PMOS晶体管PM4、第五PMOS晶体管PM5。该电路通过调节忆阻器阻态、CMOS管的导通和截止来实现全加运算的功能，电路结构简单，对忆阻数字逻辑电路的研究具有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 cmos 全加器 电路 | ||
【主权项】：
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