[发明专利]一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法有效
| 申请号: | 202110453502.X | 申请日: | 2021-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN113193022B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
| 发明(设计)人: | 茆胜 | 申请(专利权)人: | 睿馨(珠海)投资发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人: | 刘少伟 |
| 地址: | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种高分辨率AMLOED显示器件及其制备方法,其中,制备方法,包括以下步骤:在每个像素的子像素区域蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层;在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层;所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同;所述蒸镀沉积工艺采用通过高分辨率掩膜版完成的。有益效果是:采用金属阳极层直接图形化,降低了OLED微型显示器件的工艺复杂度,无需再采用光刻或刻蚀工艺引入额外的工艺步骤;保持了金属阳极层表面的高反射状态;同时可以实现OLED微型显示器件在制造过程中,为红、绿、蓝OLED像素定制独立的阳极结构,实现每种颜色的定制化和优化的OLED器件结构,提高发光效。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 高分辨率 amoled 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睿馨(珠海)投资发展有限公司,未经睿馨(珠海)投资发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110453502.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种装配式建筑参数化的一体化设计方法
- 下一篇:分裂栅沟槽功率器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





