[发明专利]一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高分辨率AMLOED 显示器件，其特征在于，包括：若干个像素单元，每个所述像素单元包括至少一个子像素，所述子像素包括至少一层金属阳极层、以及至少一层有机发光层，所述有机发光层通过高分辨率掩膜版沉积在所述金属阳极层的顶部，且所述有机发光层和金属阳极层的图形相同；

在所述高分辨率掩膜版的下方设有导向板，蒸发分子经过所述导向板的阻隔过滤后以基本垂直或者接近垂直的方向穿过所述高分辨率掩膜版，并沉积到OLED 基底上；

所述金属阳极层的厚度为50~500A，所述有机发光层的厚度为1000~3000A。

2.根据权利要求1 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件，其特征在于，包括：所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板。

3.根据权利要求1 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件，其特征在于，包括：所述金属阳极层包括钛（Ti），钼（Mo），银（Ag），铂（Pt），铝（Al），铬（Cr）及其氮化物和氧化物的一种和几种材料，所述有机发光层包括TPD、NPB、TCTA、CBP、mCP、DCB、Bphen、TBPi 的一种或几种材料。

4.根据权利要求1 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件，其特征在于，包括：相邻两个所述子像素的金属阳极层之间具有一定的间距，所述间距不低于2um。

5.一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在每个像素的子像素蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层；

在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层；

所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同；

所述蒸镀沉积工艺采用通过高分辨率掩膜版完成的；

在所述高分辨率掩膜版的下方设有导向板，蒸发分子经过所述导向板的阻隔过滤后以基本垂直或者接近垂直的方向穿过所述高分辨率掩膜版，并沉积到OLED 基底上；

所述金属阳极层的厚度为50~500A，所述有机发光层的厚度为1000~3000A。

6.根据权利要求5 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板。

7.根据权利要求5 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，每个所述像素的子像素至少为三个，包括红像素、绿像素、蓝像素，相邻两个所述子像素的金属阳极层之间具有一定的间距，并形成独立的阳极结构。

8.根据权利要求7 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，每个所述子像素的金属阳极层采用相同或不同的薄膜材料完成蒸镀沉积。

9.根据权利要求7 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，每个所述子像素的有机发光层采用相同或不同的薄膜材料完成蒸镀沉积。

10.根据权利要求5 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，在蒸镀沉积所述有机发光层工艺前，还包括：

调整所述高分辨率掩膜版并使得所述高分辨率掩膜版的开口与所述子像素一一对应。

11.根据权利要求5 所述的一种高分辨率AMLOED 显示器件的制备方法，其特征在于，在蒸镀沉积工艺过程中，所述高分辨率掩膜版与基底的间距不大于50 微米。