[发明专利]一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种高分辨率AMLOED显示器件及其制备方法，其中，制备方法，包括以下步骤：在每个像素的子像素区域蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层；在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层；所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同；所述蒸镀沉积工艺采用通过高分辨率掩膜版完成的。有益效果是：采用金属阳极层直接图形化，降低了OLED微型显示器件的工艺复杂度，无需再采用光刻或刻蚀工艺引入额外的工艺步骤；保持了金属阳极层表面的高反射状态；同时可以实现OLED微型显示器件在制造过程中，为红、绿、蓝OLED像素定制独立的阳极结构，实现每种颜色的定制化和优化的OLED器件结构，提高发光效。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法。

背景技术

在顶发射有机发光二极管（AMOLED）微型显示器件中，金属阳极具有与空穴注入层能级相匹配的功函数，将电荷注入到有机层中实现发光。制造高分辨率OLED微型显示器件，需要具有高反射率的金属阳极图形，而在AMOLED微型显示器件中，该阳极必须在基底上形成所需的像素图案，有两种方法实现金属阳极图形化。

一是使用精细金属掩膜技术（FMM）来实现显示的结构化图形。但是精细金属掩膜技术（FMM）存在工艺形变以及分辨率无法满足需求的问题，不能精确定义小于10微米的特征尺寸，故而难以实现像素尺寸在10微米以下全彩OLED微型显示器件。另外，阳极的在基底上形成所需的像素图案的传统方法是使用光刻或刻蚀工艺来实现。但是光刻或者刻蚀工艺进行图形化会产生新的问题。首先，引入了额外的工艺步骤，这些工艺步骤增加了制造时间以及设备和原材料的成本。其次，在将其进行图形化的过程中，需要接触使用到不同材料，导致高反射的金属阳极表面被腐蚀和氧化，降低了器件的性能。最后，额外的工艺步骤引入颗粒和残留物，导致缺陷的产生，降低生产良率。

二是采用彩色过滤层的白光结构OLED微型显示器件，由于彩色过滤层会吸收超过60%的OLED发射光导致器件亮度大幅降低，从而影响OLED微型显示器件使用条件。

因此，本发明提出了一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法。

发明内容

本发明提供一种高分辨率AMOLED显示器件及其制备方法，以解决现有技术中AMOLED分辨率不高的问题。

本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：

一种高分辨率AMOLED显示器件，包括：若干个像素单元，每个所述像素单元包括至少一个子像素，所述子像素包括至少一层金属阳极层、以及至少一层有机发光层，所述有机发光层通过高分辨率掩膜版沉积在所述金属阳极层的顶部，且所述有机发光层和金属阳极层的图形相同。

在一些实施例中，所述高分辨率掩膜版由氮化硅和二氧化硅制成的多层层叠结构掩膜板。

在一些实施例中，所述金属阳极层的厚度为50~500A，所述有机发光层的厚度为1000~3000A。

在一些实施例中，所述金属阳极层包括钛（Ti），钼（Mo），银（Ag），铂（Pt），铝（Al），铬（Cr）及其氮化物和氧化物的一种和几种材料，所述有机发光层包括TPD、NPB、TCTA、CBP、mCP、DCB、Bphen、TBPi的一种或几种材料。

在一些实施例中，相邻两个所述子像素的金属阳极层之间具有一定的间距，所述间距不低于2um。

本发明提出了一种高分辨率AMOLED显示器件的制备方法，包括以下步骤：

在每个像素的子像素蒸镀沉积一定厚度的薄膜为金属阳极层；

在所述金属阳极层的顶部蒸镀沉积一定厚度的薄膜为有机发光层；

所述有机发光层的位置及图形均与之对应的金属阳极层的位置及图形相同；