[发明专利]一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法在审
| 申请号： | 202110437117.6 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112986633A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周锐;柯尊斌;王卿伟;郭友林 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/067 | 分类号： | G01R1/067 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211299 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法，用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，包括探头本体、测试样片和数据线；探头本体一端为样品端、另一端为出线端，探头本体的样品端设有方形凹槽；数据线一端分支为四根控制线、分别位于方形凹槽内的四角处，数据线的另一端从探头本体的出线端穿出；测试样片位于方形凹槽内；四根控制线的端部分别连接有铂铑丝、作为导体连接线端，导体连接线端与测试样片焊接。本申请可获得晶棒准确的电性能参数，为晶片分级、客户分类及技术调整提供有力的参考依据，有效防止了因电性能参数问题而导致的客户退货问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 inp 磷化 晶片 性能 测试 高斯计 探头 装置 方法 | ||
【主权项】：
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