[发明专利]一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法

权利要求书

1.一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，其特征在于：包括探头本体、测试样片和数据线；探头本体一端为样品端、另一端为出线端，探头本体的样品端设有方形凹槽；数据线一端分支为四根控制线、分别位于方形凹槽内的四角处，数据线的另一端从探头本体的出线端穿出；测试样片位于方形凹槽内；四根控制线的端部分别连接有铂铑丝、作为导体连接线端，导体连接线端与测试样片焊接。

2.如权利要求1所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，其特征在于：铂铑丝的直径为0.08～0.12mm。

3.如权利要求1或2所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，其特征在于：每根铂铑丝的长度为4～6mm。

4.如权利要求1或2所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头，其特征在于：测试样片为边长为5～15mm的方形片。

5.一种具有磁场旋转调节功能的电性能测试装置，与权利要求1-4任意一项所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头配套使用，其特征在于：包括第一铜线圈、第二铜线圈、连接轴、禁锢旋转盖和位置调节环；

第一铜线圈和第二铜线圈的两端均分别设有内挡环和外挡环；

第一铜线圈和第二铜线圈均螺纹连接在连接轴上，第一铜线圈的内挡环和第二铜线圈的内挡环相邻、且间隔大于零，连接轴的两端分别超出第一铜线圈的外挡环和第二铜线圈的外挡环；第一铜线圈的内挡环上设有探头插槽；禁锢旋转盖螺纹连接在第一铜线圈外挡环一端的连接轴上；位置调节环位于连接轴外围、且连接在第二铜线圈的外挡环上。

6.如权利要求5所述的具有磁场旋转调节功能的电性能测试装置，其特征在于：还包括支座，支架包括两个相对设置的环形支架，第一铜线圈的外挡环和第二铜线圈的外挡环分别伸入、并支撑在两个相对设置的环形支架上。

7.如权利要求5或6所述的具有磁场旋转调节功能的电性能测试装置，其特征在于：禁锢旋转盖的外侧设有第一旋转手柄；位置调节环的外侧设有第二旋转手柄。

8.如权利要求5或6所述的具有磁场旋转调节功能的电性能测试装置，其特征在于：第一铜线圈和第二铜线圈之间的间隔为50mm～64mm。

9.一种InP磷化铟单晶片电性能测试的方法，利用权利要求1-4任意一项所述的用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头和权利要求5-7任意一项所述的具有磁场旋转调节功能的电性能测试装置测试，其特征在于：包括顺序相接的如下步骤：

1)在InP磷化铟单晶片的头部或尾部切割厚度为0.3～2mm的InP样片，在InP样片上由边缘至中心进行划片取样，得测试样片；

2)将测试样片表面用无尘布蘸酒精擦拭干净；

3)开起焊机，将温度调节至300℃～450℃，待温度达到预设值，在测试样片的四角用铟丝进行点融，将测试样片四角分别焊接在高斯计探头方形凹槽内的四根铂铑丝上，高斯计探头的数据线接数值性万用表；

4)将带有测试样片的高斯计探头的方形凹槽插入电性能测试装置的探头插槽中，加载磁场，调节第一铜线圈和第二铜线圈之间的间隔，至所产生的磁场强度为要求值，用数值性万用表测量得到测试样片的霍尔系数，再换算得到电子迁移率、载流子浓度和电阻率参数。